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公开(公告)号：CN115437166A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211015760.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振结构的太赫兹光纤滤波器，包括：侧边抛磨太赫兹光纤、谐振结构，其中谐振结构是一种微纳长方体柱，该结构集成于侧边抛磨太赫兹光纤的侧边抛磨平坦区。微纳长方体柱起到类谐振腔效果，使得符合微纳长方体柱谐振频率的太赫兹波被有效耦合进入谐振腔与微纳长方体柱相互作用产生电磁谐振，电磁谐振频率也被称为该滤波器的中心频率，位于中心频率处的太赫兹电磁能量用于维持电磁振荡，由此形成滤波阻带。随着微纳长方体柱结构尺寸的改变，该滤波器能实现0.1～3THz范围内任一特定窄带内实现较高Q值，较大最大阻带衰减深度和较小的插入损耗的滤波。
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公开(公告)号：CN107976824A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711447761.1
申请日：2017-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明涉及一种光波导及幅度调制器，包括衬底、第一掩膜板、第二掩膜板、波导芯层、第一偏转电极和第二偏转电极。基于cmos工艺的衬底、第一掩膜板和第二掩膜板形成波导槽，波导槽底部的波导芯层用于待调光束，在第一偏转电极和第二偏转电极接入驱动电压后，通过波导芯层与驱动电压的电光效应，改变待调光束的折射率。基于此，有效降低实现光场偏转所需的驱动电压，缩小实现光场偏转所需的器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN114859453B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210611634.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 暨南大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种基于连续界面全介质薄膜的随机偏振合束光栅，包括基底，在该基底上依次镀制的高反射膜层、剩余层和光栅刻蚀层，所述高反射膜层由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层交替叠加构成，且所述高折射率薄膜层与低折射率薄膜层之间设有折射率连续界面层，该折射率连续界面层的折射率由高折射率薄膜层的折射率向低折射率薄膜层的折射率连续过渡而成。本发明随机偏振合束光栅利用连续界面激发泄露模共振，可以实现随机偏振入射光的‑1级衍射效率在40‑100纳米带宽内大于99％，最高可达99.95％，在高能光谱合束激光、超强超短激光脉冲压缩领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN115598428A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211300498.4
申请日：2022-10-24
Applicant: 暨南大学(CN)
Abstract: 本发明公开了一种全光纤集成的电光晶体电场探头及解调装置，该电光晶体电场探头包括：保偏光纤，第一玻璃套管、第二玻璃套管、准直透镜、1/4波片、电光晶体和反射膜保偏光纤与第一玻璃套管固定连接，第一玻璃套管与第二玻璃套管固定连接，保偏光纤与准直透镜连接，准直透镜与1/4波片连接，1/4波片与电光晶体连接，电光晶体与反射膜连接；准直透镜和1/4波片设于第二玻璃套管内。本发明解决空间光学元件难集成、易受振动、体积大、难以耦合等造成电场测量不稳定的问题，提高测量装置的灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号：CN113721376A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110863050.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本发明采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。本发明采用石墨烯作为调制媒介物质可有效提高太赫兹调制器的调制特性。在太赫兹波段，采用超材料制备的纳米周期性结构具有高谐振因子。谐振增强使得超材料与太赫兹光的相互作用得到有效加强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106842760B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710134608.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本专利涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本专利制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。
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公开(公告)号：CN106842760A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710134608.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本发明制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。
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公开(公告)号：CN113721376B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110863050.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本发明采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。本发明采用石墨烯作为调制媒介物质可有效提高太赫兹调制器的调制特性。在太赫兹波段，采用超材料制备的纳米周期性结构具有高谐振因子。谐振增强使得超材料与太赫兹光的相互作用得到有效加强。
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公开(公告)号：CN114859453A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210611634.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 暨南大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种基于连续界面全介质薄膜的随机偏振合束光栅，包括基底，在该基底上依次镀制的高反射膜层、剩余层和光栅刻蚀层，所述高反射膜层由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层交替叠加构成，且所述高折射率薄膜层与低折射率薄膜层之间设有折射率连续界面层，该折射率连续界面层的折射率由高折射率薄膜层的折射率向低折射率薄膜层的折射率连续过渡而成。本发明随机偏振合束光栅利用连续界面激发泄露模共振，可以实现随机偏振入射光的‑1级衍射效率在40‑100纳米带宽内大于99％，最高可达99.95％，在高能光谱合束激光、超强超短激光脉冲压缩领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN112014983B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010947193.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
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