公开(公告)号：CN103649385B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280035315.9

申请日：2012-07-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 影岛庆明 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治 ,  宫坂佳彦

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/681 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/52 ,  C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。

公开(公告)号：CN103765559B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280042735.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百濑贤治 ,  小田原道哉 ,  武藤大祐 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN105408985B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480042773.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小田原道哉 ,  田岛裕 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10‑3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN103765559A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042735.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百濑贤治 ,  小田原道哉 ,  武藤大祐 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN105408985A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042773.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小田原道哉 ,  田岛裕 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10-3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN103649385A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280035315.9

申请日：2012-07-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 影岛庆明 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治 ,  宫坂佳彦

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/681 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/52 ,  C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。