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    半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯
    1.
    发明公开
    半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯 有权 转让

    公开(公告)号：CN102124574A

    公开(公告)日：2011-07-13

    申请号：CN200980131958.1

    申请日：2009-06-16

    Applicant: 昭和电工株式会社

    Inventor： 平岩大介 ,  冈部健彦 ,  大庭玲美 ,  渡边宗隆

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016

    Abstract: 本发明的目的在于提供包括提高了接合性及耐腐蚀性的电极的半导体发光元件及其制造方法、半导体发光元件用的电极以及灯。该半导体发光元件包括基板、包含形成在上述基板上而成的发光层的层叠半导体层、形成在上述层叠半导体层的上表面的一个电极(111)、形成在将上述层叠半导体层的一部分切掉而成的半导体层暴露面上的另一个电极，一个电极(111)由接合层(110)和覆盖接合层(110)地形成的焊盘电极(120)构成，焊盘电极(120)的最大厚度形成得大于接合层(110)的最大厚度，且由一个或两个以上的层构成，在接合层(110)和焊盘电极(120)的外周部(110d)、(120d)分别形成膜厚朝向外周侧去逐渐变薄的倾斜面(110c)、(117c)、(119c)，通过使用该半导体发光元件，能够解决上述课题。

    氮化镓系化合物半导体发光元件
    2.
    发明授权
    氮化镓系化合物半导体发光元件 有权

    公开(公告)号：CN101467272B

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：CN200780021924.8

    申请日：2007-06-08

    Applicant: 昭和电工株式会社

    Inventor： 村木典孝 ,  渡边宗隆

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

    Abstract: 本发明的目的是提供光取出效率优异、发光输出功率高的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是包括基板和层叠于基板上的氮化镓系化合物半导体层的发光元件，其特征在于，发光元件的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形，该氮化镓系化合物半导体层的侧面与基板主面不垂直。

    氮化镓系化合物半导体发光元件
    4.
    发明公开
    氮化镓系化合物半导体发光元件 有权

    公开(公告)号：CN101467272A

    公开(公告)日：2009-06-24

    申请号：CN200780021924.8

    申请日：2007-06-08

    Applicant: 昭和电工株式会社

    Inventor： 村木典孝 ,  渡边宗隆

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

    Abstract: 本发明的目的是提供光取出效率优异、发光输出功率高的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是包括基板和层叠于基板上的氮化镓系化合物半导体层的发光元件，其特征在于，发光元件的平面形状为纵边和横边的长度不同的矩形，该氮化镓系化合物半导体层的侧面与基板主面不垂直。

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