公开(公告)号：CN100370587C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN03821131.9

申请日：2003-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  清美化学股份有限公司

Inventor： 真丸幸惠 ,  神谷广幸 ,  林笃 ,  次田克幸

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C-Si键及Si-O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。

公开(公告)号：CN101346804B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200680048728.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  神谷广幸 ,  竹宫聪 ,  林笃 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。

公开(公告)号：CN101346804A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048728.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  神谷广幸 ,  竹宫聪 ,  林笃 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。

公开(公告)号：CN1679145A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03821131.9

申请日：2003-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  清美化学股份有限公司

Inventor： 真丸幸惠 ,  神谷广幸 ,  林笃 ,  次田克幸

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。

公开(公告)号：CN101230250A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710307391.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  清美化学股份有限公司

Inventor： 真丸幸惠 ,  神谷广幸 ,  林笃 ,  次田克幸

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法。为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水、以及选自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化铈以外的稀土类氧化物的1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。

公开(公告)号：CN1166809C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN96191618.4

申请日：1996-02-01

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 原田和男 ,  贺屋政德 ,  林笃 ,  籾井达夫 ,  高仓辉夫

IPC: C23C14/20

CPC classification number: C23C14/08

Abstract: 一种合成树脂成型物及其制造方法，其特征在于：在具有疏水性的合成树脂基材上，以干法形成由选自Si、Zr、Ti、Ta、Hf、Mo、W、Nb、Sn、In、Al、Cr及Zn中的一种以上的金属氧化物组成的薄膜，所述合成树脂基材为含氟树脂，所述薄膜为由至少含有Si的金属氧化物组成。

公开(公告)号：CN1169756A

公开(公告)日：1998-01-07

申请号：CN96191618.4

申请日：1996-02-01

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 原田和男 ,  贺屋政德 ,  林笃 ,  籾井达夫 ,  高仓辉夫

IPC: C23C14/20

CPC classification number: C23C14/08

Abstract: 一种合成树脂成型物及其制造方法,其特征在于:在具有疏水性的合成树脂基材上,以干法形成由选自Si、Zr、Ti、Ta、Hf、Mo、W、Nb、Sn、In、Al及Zn中的一种以上的金属的氧化物组成的薄膜。