电力转换装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105027413B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201480010311.4

    申请日:2014-01-31

    Abstract: 本发明的目的在于实现功率半导体组件的冷却性能的提高和性能偏差的降低,本发明的电力转换装置包括:功率半导体组件(150);第一流路形成体(2);和第二流路形成体(20),其形成收纳上述功率半导体组件(150)和上述第一流路形成体(2)的收纳空间(20a),上述第一流路形成体(2)由第一侧壁部、第二侧壁部和底面部构成,上述第一侧壁部在与上述功率半导体组件(150)的一个面之间形成第一流路空间,上述第二侧壁部在与上述功率半导体组件(150)的另一个面之间形成第二流路空间,在上述收纳空间、上述第一流路空间和上述第二流路空间流动冷却介质。

    电力转换装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104584409B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201380043814.7

    申请日:2013-07-24

    CPC classification number: H05K7/2089 H02M7/003 H05K7/20254 H05K7/20927

    Abstract: 一种电力转换装置,包括:功率半导体组件(150a);收纳上述功率半导体组件(150a)的流路形成体(20);和将上述功率半导体组件(150a)固定于上述流路形成体(20)的盖(5),上述功率半导体组件(150a)包括功率半导体元件、与上述功率半导体元件电连接的主端子(157b、158b)和收纳上述功率半导体元件的壳体,上述盖(5)形成有凹部(5c)和形成在上述凹部(5c)的底面部的开口(5a),上述功率半导体组件(150a)配置成与上述凹部(5c)嵌合,并且上述功率半导体组件(150a)以上述主端子(157b、158b)贯通上述开口(5a)的方式固定于上述盖(5),在上述壳体与上述凹部(5c)的内壁之间形成气密结构,防止冷却剂向具有两面冷却结构的功率半导体组件的内部侵入和冷却剂向组件外部流出。

    电力转换装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105027413A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201480010311.4

    申请日:2014-01-31

    Abstract: 本发明的目的在于实现功率半导体组件的冷却性能的提高和性能偏差的降低,本发明的电力转换装置包括:功率半导体组件(150);第一流路形成体(2);和第二流路形成体(20),其形成收纳上述功率半导体组件(150)和上述第一流路形成体(2)的收纳空间(20a),上述第一流路形成体(2)由第一侧壁部、第二侧壁部和底面部构成,上述第一侧壁部在与上述功率半导体组件(150)的一个面之间形成第一流路空间,上述第二侧壁部在与上述功率半导体组件(150)的另一个面之间形成第二流路空间,在上述收纳空间、上述第一流路空间和上述第二流路空间流动冷却介质。

    电力转换装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104584409A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201380043814.7

    申请日:2013-07-24

    CPC classification number: H05K7/2089 H02M7/003 H05K7/20254 H05K7/20927

    Abstract: 一种电力转换装置,包括:功率半导体组件(150a);收纳上述功率半导体组件(150a)的流路形成体(20);和将上述功率半导体组件(150a)固定于上述流路形成体(20)的盖(5),上述功率半导体组件(150a)包括功率半导体元件、与上述功率半导体元件电连接的主端子(157b、158b)和收纳上述功率半导体元件的壳体,上述盖(5)形成有凹部(5c)和形成在上述凹部(5c)的底面部的开口(5a),上述功率半导体组件(150a)配置成与上述凹部(5c)嵌合,并且上述功率半导体组件(150a)以上述主端子(157b、158b)贯通上述开口(5a)的方式固定于上述盖(5),在上述壳体与上述凹部(5c)的内壁之间形成气密结构,防止冷却剂向具有两面冷却结构的功率半导体组件的内部侵入和冷却剂向组件外部流出。

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