-
公开(公告)号：CN105765747A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201580002741.6
申请日：2015-07-02
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L35/14 , B22F3/14 , B22F2999/00 , C22C23/00 , H01L27/16 , H01L35/02 , H01L35/32 , H01L35/34 , B22F2003/145 , B22F2202/06
Abstract: 本发明提供一种即使在高温环境下也能够确实地确保热电转换元件表背面的温度差且发电性能优异的热电转换元件以及热电转换模块。一种由烧结体构成的热电转换元件，构成所述烧结体的晶粒的至少一部分晶粒的长边方向的长度比短边方向的长度大，并且沿短边方向构成层状的晶粒。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111247629A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880068321.1
申请日：2018-10-23
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 该部件连接方法包括：以规定的印刷图案(9)在各部件(2)、(3)的连接区域(5)形成连接用的铜糊剂的涂膜(8)的印刷工序；经由涂膜(8)层叠各部件(2)、(3)的层叠工序；以及烧结涂膜(8)而形成铜烧结体(4)，并利用该铜烧结体(4)连接各部件(2)、(3)的烧结工序，在印刷工序中，在印刷图案(9)上形成形成涂膜(8)的涂膜形成区域(10)和未形成涂膜(8)的涂膜非形成区域(20)，涂膜形成区域(10)被以连结在连接区域(5)的边缘部(6)相互分离的各点(A)～(D)的方式设置的多个线状区域(21a)～(21c)分割成多个同心状的区域(12a)～(12c)以及多个放射状的区域(13a)、(13b)。
-
公开(公告)号：CN111295741A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880070553.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合体的制造方法，其具备以下工序：第一工序，其中准备具备第一构件、第二构件和接合材料的层叠体，所述第一构件在表面设有金属柱状物，所述第二构件在表面设有电极垫，且按照金属柱状物与电极垫相互间相向的方式配置，所述接合材料设置在金属柱状物与电极垫之间，且含有金属粒子及有机化合物；第二工序，其中加热层叠体，在规定的烧结温度下使接合材料烧结，其中，接合材料满足下述式(I)的条件，(M1-M2)/M1×100≥1.0 (I)。式(I)中，M1表示在第二工序中、接合材料的温度到达烧结温度时的接合材料的质量，M2表示接合材料中的不挥发成分量。
-
公开(公告)号：CN111247647A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880068703.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L35/34 , B22F7/08 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C19/03 , H01L35/08
Abstract: 本发明的热电转换模块的制造方法为制造具有热电半导体部和高温侧电极及低温侧电极的热电转换模块的方法，所述热电半导体部是p型半导体与n型半导体交替地多个排列而成的，所述高温侧电极及低温侧电极将相邻的所述p型半导体及所述n型半导体电串联地连接，所述高温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的高温热源一侧的接合面，所述低温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的低温热源一侧的接合面，所述制造方法具备通过对设置于所述高温侧电极及所述低温侧电极中的至少一方与所述p型半导体及所述n型半导体之间的含有金属粒子的接合层进行烧结来将其接合的接合工序，所述接合层由含有铜粒子作为所述金属粒子的接合材料形成。
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.021 seconds)
