公开(公告)号：CN119318209A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380044923.4

申请日：2023-05-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东大介 ,  酒井敏彦 ,  藤原将喜

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下亦可确认天线及其周围状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生电感耦合性的等离子体；视端口(4b)，设置于真空罩(4)且具有透光性；以及光学传感器(14)，接收透过了视端口(4b)的天线收容空间(AK)内的光。

公开(公告)号：CN117501454A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202380010645.0

申请日：2023-03-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/425 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘膜内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

公开(公告)号：CN116324019A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063924.4

申请日：2021-11-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦

IPC: C23C16/02

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：等离子体处理工序，使用包含氮及氧的混合气体作为工艺气体来对半导体层的表面进行等离子体处理；以及绝缘层形成工序，使用包含SiF4、氮、氧及氢的混合气体作为工艺气体，通过等离子体CVD法，在所述等离子体处理后的半导体层之上形成绝缘层。

公开(公告)号：CN120019719A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380071392.8

申请日：2023-11-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介 ,  藤原将喜

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种可实时地掌握被实施等离子体处理的被处理物的状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：天线(8)；电源(9)，向天线(8)供给用于产生磁场的高频电流；拍摄部，对处理室的内部进行拍摄；以及控制部。电源(9)通过使高频电流的大小周期性地增减而间歇性地产生等离子体。控制部对拍摄部进行控制以获取与等离子体的熄灭同步的处理室的内部的图像作为第一图像。

公开(公告)号：CN117501419B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380010868.7

申请日：2023-03-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/425 ,  H01L21/265

Abstract: 一种固定电荷控制方法及薄膜晶体管的制造方法，所述固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层的所述绝缘层进行热处理，由此在所述绝缘层中显现出固定电荷。

公开(公告)号：CN118575587A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380017773.8

申请日：2023-01-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种能够适当地控制荷电粒子的动作的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括处理室(2)。在处理室(2)的内部包括：载台(3)，供作为被处理物的被处理基板(H1)设置；天线(4)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离子体；以及内部电极(8)，施加规定的电位。

公开(公告)号：CN112425269A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047003.1

申请日：2019-07-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  东大介 ,  中田誓治 ,  安东靖典

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直，且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近；并且还包括气体流量控制部，其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。

公开(公告)号：CN117501454B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380010645.0

申请日：2023-03-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/425 ,  H10D30/01 ,  H01L21/265

Abstract: 一种固定电荷控制方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管，所述固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘膜内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

公开(公告)号：CN116982142A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280020052.8

申请日：2022-02-25

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/318

Abstract: 一种成膜方法，在氧化物半导体上形成氮氧化硅膜，所述成膜方法的特征在于，通过等离子体CVD法来形成所述氮氧化硅膜，所述等离子体CVD法是供给SiF4气体、氮气、氧气及氢气作为工艺气体而进行，在所述供给的工艺气体中，氮气的流量相对于氮气与氧气的合计流量的比例为93％以上。

公开(公告)号：CN115735269A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180043421.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/316

Abstract: 在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述沟道保护层包括含有氟的氧化硅膜，所述含有氟的氧化硅膜中O原子数(at％)相对于Si原子数(at％)的比即O/Si比为1.94以上。