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发明公开
等离子体处理装置无效

公开(公告)号：CN112425269A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047003.1

申请日：2019-07-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 , 东大介 , 中田誓治 , 安东靖典

IPC: H05H1/46 , C23C14/54 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01L21/205 , H01L21/3065

Abstract: 本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直，且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近；并且还包括气体流量控制部，其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。

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