公开(公告)号：CN119805846A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202410654919.6

申请日：2024-05-24

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 梁澈圭 ,  禹美京 ,  金用大

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/38 ,  G03F1/22

Abstract: 用于EUV光刻的空白掩模配备有形成于衬底上的反射膜、形成于所述反射膜上的罩盖膜及形成于所述罩盖膜上的吸收膜。所述吸收膜包含铬(Cr)30at％到60at％、锑(Sb)40at％到70at％及氮(N)0(at％)到20(at％)。吸收膜厚度的薄化是可能的，从而导致3D效应的减弱以及剂量对空间(DtS)及正规化图像对数斜率(NILS)的改进。

公开(公告)号：CN113227898B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕以及光罩，所述空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(criticaldimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

公开(公告)号：CN110716388B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201811558340.0

申请日：2018-12-19

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/50

公开(公告)号：CN108957941B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。

公开(公告)号：CN110716388A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201811558340.0

申请日：2018-12-19

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/50

Abstract: 本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。

公开(公告)号：CN117891122A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310044890.5

申请日：2023-01-30

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 金用大 ,  梁澈圭 ,  禹美京

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80

Abstract: 公开一种用于EUV光刻的空白掩模，其包含依序形成于衬底上的反射膜、罩盖膜、蚀刻终止膜、相移薄膜及硬掩模膜。所述相移膜含有钌(Ru)，且所述蚀刻终止膜含有铬(Cr)及铌(Nb)。在所述蚀刻终止膜中，铌(Nb)的含量介于20at％到50at％的范围内，且铬(Cr)的含量介于10at％到40at％的范围内。所述硬掩模膜含有钽(Ta)及氧(O)。所述硬掩模膜中的钽(Ta)的含量高于或等于50at％。运用所述空白掩模，有可能在晶片印刷期间实施高分辨率及NILS，且实施DtC。

公开(公告)号：CN114200769A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011322130.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 徐暻原 ,  公拮寓 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/38

Abstract: 一种具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模。空白掩模包含附接到衬底的背侧的导电层，且导电层包含依序堆叠在衬底的背侧上的第一层、第二层以及第三层。第一层和第三层由含有铬(Cr)和氧(O)的材料制成，且第二层由不含有氧(O)但含有铬(Cr)的材料制成。提供具有导电层的空白掩模，导电层具有低薄层电阻、对衬底的高粘着力以及施加到衬底的低应力的特性。

公开(公告)号：CN110456608A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201810513173.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  金东建 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

公开(公告)号：CN112698545A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011136791.2

申请日：2020-10-22

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  郑始俊 ,  梁澈圭

IPC: G03F1/32

Abstract: 本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。

公开(公告)号：CN112015047A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010401171.0

申请日：2020-05-13

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。