公开(公告)号：CN119805846A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202410654919.6

申请日：2024-05-24

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 梁澈圭 ,  禹美京 ,  金用大

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/38 ,  G03F1/22

Abstract: 用于EUV光刻的空白掩模配备有形成于衬底上的反射膜、形成于所述反射膜上的罩盖膜及形成于所述罩盖膜上的吸收膜。所述吸收膜包含铬(Cr)30at％到60at％、锑(Sb)40at％到70at％及氮(N)0(at％)到20(at％)。吸收膜厚度的薄化是可能的，从而导致3D效应的减弱以及剂量对空间(DtS)及正规化图像对数斜率(NILS)的改进。

公开(公告)号：CN117891122A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310044890.5

申请日：2023-01-30

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 金用大 ,  梁澈圭 ,  禹美京

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/22 ,  G03F1/80

Abstract: 公开一种用于EUV光刻的空白掩模，其包含依序形成于衬底上的反射膜、罩盖膜、蚀刻终止膜、相移薄膜及硬掩模膜。所述相移膜含有钌(Ru)，且所述蚀刻终止膜含有铬(Cr)及铌(Nb)。在所述蚀刻终止膜中，铌(Nb)的含量介于20at％到50at％的范围内，且铬(Cr)的含量介于10at％到40at％的范围内。所述硬掩模膜含有钽(Ta)及氧(O)。所述硬掩模膜中的钽(Ta)的含量高于或等于50at％。运用所述空白掩模，有可能在晶片印刷期间实施高分辨率及NILS，且实施DtC。