玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN102292808A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200980155842.1

    申请日:2009-11-24

    CPC classification number: H01L21/76254 H01L29/78603

    Abstract: 本发明提供了用于以下目的的用来形成玻璃-陶瓷结构上半导体的方法和设备:对给体半导体晶片的一个注入表面进行离子注入操作,形成给体半导体晶片的剥离层;通过电解将所述剥离层的注入表面与玻璃基片结合;将所述剥离层与给体半导体晶片分离,从而形成中间体型前体玻璃上半导体结构;将所述中间体型前体玻璃上半导体结构夹在第一和第二支承结构之间;对所述第一和第二支承结构中的一个或两个施加压力;以及对所述中间体型前体玻璃上半导体结构进行热处理步骤,使得前体玻璃结晶化,从而形成玻璃-陶瓷上半导体结构。

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