公开(公告)号：CN117321754A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035373.5

申请日：2022-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 ,  S·佩马萨尼 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  于航 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/687

Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面的外部区域内的多个突起的密度可以大于基板支撑表面的内部区域中的多个突起的密度。基板支撑组件可以包括与静电吸盘主体耦合的支撑柱。基板支撑组件可以包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。

公开(公告)号：CN116209785A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180064293.8

申请日：2021-09-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·佩马萨尼 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  K·C·保罗 ,  M·S·K·穆蒂亚拉

IPC: C23C16/455

Abstract: 示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。

公开(公告)号：CN116940707A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280014221.7

申请日：2022-03-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·达纳克什鲁尔 ,  S·佩马萨尼 ,  M·G·库尔卡尼 ,  M·S·K·穆蒂亚拉

IPC: C23C16/44

Abstract: 本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。

公开(公告)号：CN117616552A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048476.5

申请日：2022-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·佩马萨尼 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  M·S·K·穆蒂亚拉 ,  于航 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的吸附主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面可以限定环形槽和/或脊。多个突起的子集可以设置在环形槽和/或脊内。基板支撑组件可以包括与吸附主体耦合的支撑柄。

公开(公告)号：CN117580972A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045837.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·佩马萨尼 ,  D·R·B·拉吉 ,  李晓璞 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  M·G·库尔卡尼 ,  M·S·K·穆蒂亚拉 ,  D·帕德希 ,  于航

IPC: C23C16/455

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括设置在腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可界定基板支撑表面。腔室可包括定位支撑在腔室主体顶部的喷头。基板支撑件和喷头的底表面可至少部分地界定半导体处理腔室内的处理区域。喷头可界定穿过喷头的多个孔。喷头的底表面可界定直接定位在基板支撑件的至少一部分上方的环形槽或脊。