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公开(公告)号:CN112513321A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201980048633.0
申请日:2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
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公开(公告)号:CN108292594A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680069461.1
申请日:2016-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02274 , H01L21/32
Abstract: 描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括:将第一沉积前驱物输送至基板,所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体;使用等离子体激活沉积物质,由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后,将第二前驱物气体输送至含SiOC的层,所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体,并且使用等离子体激活沉积气体,所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层,所述含SiO2的层具有非常低的碳。
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