公开(公告)号：CN117957643A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280060140.0

申请日：2022-09-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡泰正 ,  克里斯蒂安·瓦伦西亚 ,  杨玮盈 ,  高德丰 ,  王振宇 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 本文揭露的实施方式包括蚀刻3D结构的方法。在一实施方式中，该方法包括：在微波等离子体腔室中提供3D结构。在一实施方式中，3D结构包括基板，以及在基板上方的交替的氧化硅层和氮化硅层。在一实施方式中，该方法进一步包括：使第一气体流入该微波等离子体腔室，其中该第一气体包括硫和氟。在一实施方式中，该方法包括：使第二气体流入该微波等离子体腔室，其中该第二气体包括惰性气体。在一实施方式中，该方法进一步包括：在该微波等离子体腔室中撞击等离子体，及蚀刻该氮化硅，其中氮化硅对氧化硅的蚀刻选择性为50：1或更大。

公开(公告)号：CN117178073A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029860.0

申请日：2022-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钱丹·克雷·巴里克 ,  约翰·苏迪约诺 ,  辰丹·达斯 ,  杨玮盈 ,  马克·沙丽 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  刘风全

IPC: C23C16/18

Abstract: 本发明描述了钼(0)及配位络合物。描述了在基板上沉积含钼膜的方法。将基板暴露于钼前驱物及反应物以形成含钼膜(例如元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、二硫化钼、氮化钼)。这些暴露可为顺序的或同时的。

公开(公告)号：CN117043169A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280009910.9

申请日：2022-01-10

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： 安德里亚·列奥尼 ,  保罗·梅尔曼 ,  尼曼贾·多尔德维克 ,  韩·荣·胡恩 ,  杨玮盈

IPC: C07F17/00

Abstract: 本发明描述了双核钼配位络合物。本发明描述了用于在基板上沉积含钼膜的方法。基板被暴露于双核钼前驱物和反应物以形成含钼膜(例如，元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、氮化钼)。所述暴露可以是顺序的或者同时的。