公开(公告)号：CN108701647A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013539.2

申请日：2017-01-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伊斯梅尔·艾密许 ,  罗伊·夏维 ,  克里斯·帕贝里可

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: C25D3/18 ,  C25D7/123

Abstract: 本公开内容的实施方式可包括电镀特征的数种方法，这些特征形成于半导体器件上，诸如沟槽或通孔，该沟槽或介层窗是通过使用钴镀覆浴以单镶嵌或双镶嵌工艺形成。该钴电镀浴可含有“添加剂包”或“添加剂系统”，该“添加剂包”或“添加剂系统”包括某些比例的多种添加剂的组合，而助于高深宽比亚微米特征的金属填充。本公开内容的实施方式提供新的钴镀覆浴方法及化学品，这些方法与化学品包括烷基修饰咪唑、咪唑啉、及咪唑啉啶抑制剂化合物。

公开(公告)号：CN112105758A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031467.3

申请日：2019-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  李相协 ,  克里斯·帕贝里可 ,  徐翼 ,  河泰泓 ,  唐先民 ,  朴金河

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/448 ,  C23C28/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 本案提供一种用于提供具有金属膜的电子装置的设备和方法。本公开内容的一些实施方式利用金属钨层作为衬垫，该衬垫充满包含钴的金属膜。金属钨层具有对钴的良好粘附力，导致增强的钴缝隙填充效能。