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公开(公告)号：CN108701647A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013539.2
申请日：2017-01-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本公开内容的实施方式可包括电镀特征的数种方法，这些特征形成于半导体器件上，诸如沟槽或通孔，该沟槽或介层窗是通过使用钴镀覆浴以单镶嵌或双镶嵌工艺形成。该钴电镀浴可含有“添加剂包”或“添加剂系统”，该“添加剂包”或“添加剂系统”包括某些比例的多种添加剂的组合，而助于高深宽比亚微米特征的金属填充。本公开内容的实施方式提供新的钴镀覆浴方法及化学品，这些方法与化学品包括烷基修饰咪唑、咪唑啉、及咪唑啉啶抑制剂化合物。
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