公开(公告)号：CN101221769A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710192703.9

申请日：2007-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木知佳 ,  桥本淳一 ,  小田切充 ,  秋元秀行

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: C25D5/10 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明提供一种磁头及其制造方法。在该磁头中，读取头的下屏蔽层和上屏蔽层以及写入头的下磁极电连接到基板，以便防止静电对MR元件造成损坏，并且不会不利地影响读取头的读取特性。该磁头包括：读取头，该读取头具有下屏蔽层和上屏蔽层，它们通过分流电阻电连接到基板；和写入头，该写入头具有下磁极，该下磁极通过所述分流电阻电连接到所述基板，其中所述下屏蔽层和所述上屏蔽层通过一导电层电连接到所述基板，并且所述下磁极通过一导电层电连接到所述基板，该导电层形成为该下磁极的基层。

公开(公告)号：CN103838345A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310566559.6

申请日：2013-11-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木知佳 ,  山中亮一郎 ,  青木贤治

IPC: G06F1/26 ,  G06F1/18

CPC classification number: H05K7/14 ,  H05K7/1492

Abstract: 本发明提供了一种电子装置，其包括构造成将电力供给至壳体内的机械部段的供电线路以及联接至供电线路的连接端子，其中，连接端子布置成与布置在壳体的一个侧表面上的另一电子装置的功率交换端子相对并且与该功率交换端子接合，以执行功率交换。

公开(公告)号：CN101471076A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810149798.0

申请日：2008-09-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 古屋早知子 ,  久保田哲行 ,  桥本淳一 ,  青木知佳

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/11 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/40

Abstract: 本发明提供头滑块和磁存储装置。下遮蔽层和上遮蔽层之间设有磁阻元件。磁阻元件经由下遮蔽层和上遮蔽层件接收电流。在滑块体和下遮蔽层之间的绝缘膜中嵌入有非导磁层。在头滑块和存储介质之间形成有气层。在头滑块和存储介质之间建立了电容耦合。电容耦合允许噪声从存储介质传递到头滑块。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间建立的电容。非导磁层用于防止噪声传递导致的下遮蔽层和上遮蔽层之间的电势差变化。

公开(公告)号：CN101097717A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610142712.2

申请日：2006-10-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木知佳 ,  小野隆英

IPC: G11B5/11 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/11 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3967

Abstract: 本发明涉及磁头。在该磁头中，读取元件的特性不会受到外部电磁波的严重影响，并且磁头高度抵抗外部电磁波。该磁头包括：写入头；读取头，具有读取元件，该读取元件通过电阻接地于基板；和电磁波屏蔽层，遮住其中形成有所述电阻的电阻区域。