公开(公告)号：CN101097717A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610142712.2

申请日：2006-10-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木知佳 ,  小野隆英

IPC: G11B5/11 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/11 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3967

Abstract: 本发明涉及磁头。在该磁头中，读取元件的特性不会受到外部电磁波的严重影响，并且磁头高度抵抗外部电磁波。该磁头包括：写入头；读取头，具有读取元件，该读取元件通过电阻接地于基板；和电磁波屏蔽层，遮住其中形成有所述电阻的电阻区域。

公开(公告)号：CN101174418A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710107740.5

申请日：2007-04-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 笕正弘 ,  小野隆英

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/455

Abstract: 本发明涉及晶片和绝缘特性监测方法，提供了一种对形成在晶片上的多个磁头元件的电绝缘进行测量的绝缘特性测量方法。所述多个磁头元件中的每一个都包括上磁极层、下磁极层、布置在所述上磁极层与所述下磁极层之间的多个绝缘层、以及由导电材料形成并设置在所述多个绝缘层之间的线圈层。在所述多个磁头元件中的至少一个中，上磁极层与下磁极层相互电绝缘，并且该元件的上磁极层、下磁极层以及线圈层分别连接到用于对绝缘进行测量的多个电极的端子。通过这些电极来测量磁头元件的绝缘特性。因此可以测量是否确保了这些磁头元件的需要彼此绝缘的多个层之间的绝缘。