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公开(公告)号：CN100485526C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200410088021.X
申请日：2004-10-29
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的方法中，本发明的抗蚀图增厚材料被适当地利用。
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公开(公告)号：CN1713074A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410088021.X
申请日：2004-10-29
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的方法中，本发明的抗蚀图增厚材料被适当地利用。
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公开(公告)号：CN1802606B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN02802632.2
申请日：2002-08-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0048 , G03F7/095 , G03F7/40 , H01L21/31138 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101135849A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710146875.2
申请日：2007-08-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/14 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种材料，其包括：由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，(SiO4/2)a(R1tSiO(4－t)/2)b(O1/2R2)c通式(1)其中R1代表单价有机基团，氢原子和羟基中的至少一个，R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上，且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团)，“t”代表1～3的整数，“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同时为0)，且(R1tSiO(4－t)/2)b可以出现两次或以上。
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公开(公告)号：CN1821871B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610005432.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN1821871A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610005432.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN101135849B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200710146875.2
申请日：2007-08-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/14 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种材料，其包括：由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c我 通式(1)其中R1代表单价有机基团，氢原子和羟基中的至少一个，R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上，且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团)，“t”代表1～3的整数，“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同时为0)，且(R1tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。
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公开(公告)号：CN1802606A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02802632.2
申请日：2002-08-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0048 , G03F7/095 , G03F7/40 , H01L21/31138 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。
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