公开(公告)号：CN1747309A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099264.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社 ,  夏普株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 澄田仁志 ,  寺本章伸 ,  野中贤一 ,  仲敏男

IPC: H02M7/5387

CPC classification number: H02P27/06 ,  B60L3/003 ,  B60L2210/20 ,  H02M7/003 ,  Y02T10/725

Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。

公开(公告)号：CN100511954C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510099264.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社 ,  夏普株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 澄田仁志 ,  寺本章伸 ,  野中贤一 ,  仲敏男

IPC: H02M7/5387

CPC classification number: H02P27/06 ,  B60L3/003 ,  B60L2210/20 ,  H02M7/003 ,  Y02T10/725

Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。

公开(公告)号：CN101461062B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向-8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101461062A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面－8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向－8°以上+8°以下的方向。