公开(公告)号：CN116946833A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310916555.X

申请日：2023-07-25

Applicant: 安徽大学

Inventor： 刘瀚宇 ,  许耀华 ,  李斌 ,  石浩瀚 ,  沈瓒俊 ,  许伊曼 ,  冯欢裴 ,  高铖儿 ,  许乃利

IPC: B66B5/00

Abstract: 本发明涉及一种井架结构安全性的监测方法，包括：采集重力加速度数据；进行卡尔曼滤波；将干扰少的、实时的电压数字信号Xnmed和Ynmed进行基本单元空间状态还原，得到实时的基本单元空间状态；用实时的基本单元空间状态推算研究组结构状态，得到该研究组即该层的整体倾斜向量和结构偏移率；推算整体结构状态；输出井架结构安全性的判断结果，所述判断结果分为危险、异常和正常三个等级。本发明具有及时性：重力传感器使用模拟式的加速度传感器，能及时采集数据，第二MCU控制器内置ADC转换器，计算和采集分离，相比于传统采集计算一体式系统，有效提高整个系统的数据处理速度。

公开(公告)号：CN116825875A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310769779.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  许伊曼 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接，光进入硅波导以后进入锗吸收层，锗吸收层用于对光信号的吸收，所有的掺杂都位于硅掺杂层；本发明的优点在于：所有的掺杂都位于硅掺杂层并采用共信号电极设计，从而避免光电探测器响应度下降及降低光电探测器设计和工艺加工难度。

公开(公告)号：CN117852662A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410036885.4

申请日：2024-01-10

Applicant: 安徽大学

Inventor： 徐祖雨 ,  胡源铭 ,  冯哲 ,  吴祖恒 ,  许伊曼 ,  朱云来 ,  代月花

IPC: G06N10/20 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06N5/04 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种基于变分量子电路的忆阻器神经形态计算优化方法，属于量子计算技术领域；计算优化方法包括：收集分类好的图像数据；对图像数据进行预处理；基于Alexnet模型，将Alexnet模型的最后两层全连接层换成量子变分模块，并在量子电路的前后各添加一个忆阻器全连接层，得到量子经典混合模型；将Alexnet的权重参数导入量子经典混合模型，处理好的图像数据导入量子经典混合模型进行训练，提取得到前、后忆阻器全连接层的权重参数、偏置参数以及输入信号；将提取权重参数、偏置参数以及输入信号映射到忆阻器阵列之中，用忆阻器阵列进对神经网络进行推理，得到最终结果；不仅提高了计算效率，也降低了能耗，为未来的智能计算设备提供了新的可能性。

公开(公告)号：CN119153476A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411173196.4

申请日：2024-08-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  高毓乾 ,  许伊曼

IPC: H01L27/144 ,  G01R15/22 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种环形轴对称结构的行波光电探测器，包括均布分布在环形传输线上的多个PD，所述环形传输线的两端接有GSG行波电极，且整体呈轴对称结构；光信号经光波导输入端的光栅耦合器进入光波导，且光波导采用多级一分二的功率分束器进行分光，并连接至PD；所述GSG行波电极两层介质结构包括硅衬底和生长在硅衬底顶部的二氧化硅层，所述二氧化硅层的上部是薄硅层，所述薄硅层上面覆盖两层二氧化硅层；所述GSG行波电极的地电极通过通孔接有第一金属层M1，GSG行波电极的信号电极通过通孔接有第二金属层M2。该发明无需增加额外工艺步骤，加工容易，与CMOS工艺完美兼容，可同时提高器件的带宽、饱和输出功率及整体性能。

公开(公告)号：CN119133332A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411273720.5

申请日：2024-09-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  王笑飞 ,  许伊曼 ,  何东泽

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/04

Abstract: 本发明实施例提供一种可提高空穴注入率发光二极管，涉及半导体光电子器件技术领域。该可提高空穴注入率发光二极管包括衬底，在衬底上依次生长的GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光区、电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层和p型GaN层分别为n型和p型故意掺杂层。本发明实施例所述进入有源区的电子阻挡层，通过调节组分，可以利用量子阱的极化效应形成电子阻挡层结构的单极阻挡结构，有效阻档电子泄漏，而不影响空穴的注入效率。消除电子阻挡层价带空穴势垒，解决因极化导致的低空穴注入效率问题；同时进一步提高电子阻挡层势垒的高度，提高电子阻挡效率，即形成只对电子有限制作用的单极阻挡结构。

公开(公告)号：CN117410369A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311228298.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 许伊曼 ,  王俊 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供了一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器，属于半导体光电子器件领域，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型欧姆接触层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极，缓冲层设置在衬底上，N型欧姆接触层设置在缓冲层上，吸收层和N型欧姆接触电极均设置在N型欧姆接触层上，N型欧姆接触电极为环形，且吸收层位于N型欧姆接触电极的环内，吸收层为补偿掺杂的电势分布满足拉普拉斯方程的半导体介质层，P型欧姆接触层设置在吸收层上，P型欧姆接触电极设置在P型欧姆接触层上，探测器的工作模式为背照射，通过在吸收层进行补偿掺杂中和掉背景掺杂浓度，能够提高紫外探测器的性能。

公开(公告)号：CN220155555U

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202321654063.X

申请日：2023-06-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  许伊曼 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02

Abstract: 本实用新型公开了一种片上集成的微波光子探测器，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接；本实用新型的优点在于：光电探测器设计过程简单。