公开(公告)号：CN116705855B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310702671.1

申请日：2023-06-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  琚胡平 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。

公开(公告)号：CN116705855A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310702671.1

申请日：2023-06-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 任信钢 ,  琚胡平 ,  智薇 ,  黄志祥 ,  王刚 ,  牛凯坤 ,  王思亮 ,  李迎松 ,  吴先良 ,  曹孙根

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。