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公开(公告)号：CN117246646A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311404016.4
申请日：2023-10-27
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本申请提供一种电子元件容置件及制备方法。本申请提供的电子元件容置件，所述电子元件容置件包括盖带和载带；其中，所述载带具有多个用于容纳电子元件的口袋，所述多个口袋沿着所述载带的延伸方向排列；所述盖带覆盖于所述载带的开口面；所述盖带和所述载带在各个所述口袋的外周部封合在一起；其中，所述外周部为各个所述口袋在所述延伸方向上的第一侧部和第二侧部；所述盖带和所述载带在相邻两个所述口袋的分隔部封合在一起。本申请提供的电子元件容置件及制备方法，可避免电子元件脱出和移位。
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公开(公告)号：CN116613120A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310570189.7
申请日：2023-05-19
申请人： 宁波施捷电子有限公司
IPC分类号： H01L23/427 , H01L23/367
摘要： 本发明提供了一种压盖散热板及相变散热结构，所述压盖散热板为空腔结构，空腔结构的内壁设置有相变传热工质层。所述压盖散热板通过将压盖与散热结构整合在一起，在保证散热效果的同时，还能够节省散热所需空间，符合功率器件小型化的发展需要。
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公开(公告)号：CN116288617A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310374597.5
申请日：2023-04-10
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本发明提供一种电镀系统及方法，该系统包括：工件保持单元，流体控制单元，执行单元；所述工件保持单元用于保持工件；所述流体控制单元用于将流体移动至执行单元；所述执行单元位于所述工件保持单元下方，用于盛放所述流体使得所述流体与所述工件的目标表面接触，并执行多种操作，所述多种操作至少包括清洗及电镀；所述执行单元与所述工件保持单元构成仅有流体控制单元推入和推出的封闭空间，执行多种操作过程中，所述封闭空间保持封闭，所述工件保持在固定位置。本发明解决了真空效果差、成本高、电镀过程中容易产生氧化的技术问题，增加了流体速度，提升了电镀的精度及均匀性，电镀结合效果佳。
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公开(公告)号：CN115662907A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211394478.8
申请日：2022-11-08
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片封装方法，包括：在置有芯片的基板上布置密封材料；将层状铟结构置于芯片的上表面，层状铟结构至少包括：与芯片接触的表面的保护层，及，与芯片接触的表面的相对面的保护层；将散热结构置于基板的上表面，散热结构结合于密封材料，形成第一预制件；以第一温度为峰值温度固化第一预制件中的密封材料，形成第二预制件；以第二温度为峰值温度连接第二预制件的芯片、层状铟结构、及散热结构；其中，第一温度低于铟的熔点，第二温度高于铟的熔点；保护层在层状铟结构熔化前挥发。本发明解决了现有封装技术中热界面空洞率高，对真空依赖的技术问题，优化了封装工艺流程及条件，提升了热界面的覆盖率。
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公开(公告)号：CN114156245A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111368463.X
申请日：2021-11-18
申请人： 宁波施捷电子有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473
摘要： 本发明提供了一种散热盖及其用途，所述散热盖罩扣于芯片上方，所述散热盖内部顶面为锯齿面，且靠近芯片一侧的锯齿面形状为尖型，另一侧形状为非尖型，所述锯齿面、第一界面导热介质和芯片依次贴合。在本发明中，通过将散热盖内部顶面设置为锯齿面，控制芯片和散热盖之间预留空隙的大小，能够将液态的第一界面导热介质封装在芯片和锯齿面之间，避免了第一界面导热介质从芯片和锯齿面之间流出，有效地解决第一界面导热介质呈液态时的溢出问题，减少了由于第一界面导热介质流出产生的界面空洞，保证了芯片的最佳散热效果。
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公开(公告)号：CN117976549A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410149223.8
申请日：2024-02-02
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本发明提供一种散热盖体的制备方法、芯片的封装方法及其设备，该散热盖体内贴合至少一个导热铟片，方法包括：制备散热盖体的步骤，散热盖体包括一表面部，以及围设在表面部周围的四周部，表面部与四周部形成一容置空间；运送并贴合导热铟片的步骤，通过至少一个拾取单元拾取导热铟片，并将导热铟片分别运送并放置至容置空间内，使得导热铟片与散热盖体的表面部直接接触；随后，通过拾取单元施加第一作用，使得导热铟片贴合至散热盖体的表面部。本发明将施加导热铟片工艺集成至其他工艺腔室中，不仅降低额外增加施加导热铟片的设备成本并简化步骤，更可以降低导热铟片在不同腔室转移过程中的不利影响。
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公开(公告)号：CN116435267A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310374611.1
申请日：2023-04-10
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，该封装结构包括固定在电路板上的多个半导体器件，半导体器件中至少两个具有不同的高度；散热金属层，具有接触半导体器件的部分；散热金属层还具有连接部，连接部对应于半导体器件之间的间隔处设置；散热金属层中接触半导体器件的部分具有相同的厚度，且散热金属层中接触半导体器件的部分与连接部连续设置；连接部包括具有高低落差的第一台阶结构，第一台阶结构对应于半导体器件的不同高度设置。本发明保持接触半导体器件的散热金属层具有一致的厚度，而通过设置具有高低落差的台阶结构，来匹配不同高度的半导体器件，保证不同高度半导体器件可以获得均匀有效的散热效果，提高整个封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN116387245A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310374593.7
申请日：2023-04-10
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，该封装结构包括芯片，以及覆盖在芯片上的散热盖体，散热盖体与芯片直接相对的内表面预置有图案化的铟层，铟层表面设有保护层，保护层的挥发温度低于铟层的熔点。本发明散热盖体包含表面设有保护层的图案化铟层，而不必设置助焊剂，避免了在铟层形成的TIM界面时因铟泵出而产生的空洞，使得预置有铟层的散热盖体施加在芯片上的散热效果和可靠性极大提高。
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公开(公告)号：CN114408259A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210129558.4
申请日：2022-02-11
申请人： 宁波施捷电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种承载电子元器件的载带、封装系统装置及封装方法，所述的承载电子元器件的载带包括载带本体，所述的载带本体表面设置至少一个封装口袋，所述的封装口袋突出所述载带本体的表面，所述的封装口袋包括底部与侧部，所述的侧部与底部围设成用于容纳电子元器件的敞口式的腔体，所述的侧部与底部之间设置连接斜面进行连接，所述连接斜面沿所述侧部向底部表面渐缩，所述底部的表面开设有贯通所述底部的中心槽。本发明能够避免电子元器件的刮伤，具有较高的安全性、稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN116442603A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310413693.6
申请日：2023-04-18
申请人： 宁波施捷电子有限公司
IPC分类号： B32B15/01 , G06F1/20 , G06F1/16 , B21D33/00 , B21B1/40 , B32B15/04 , B32B33/00 , B32B7/02 , B32B7/10
摘要： 本发明提供了界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用，所述制备方法包括：(Ⅰ)提供导热基底；(Ⅱ)采用相变金属材料在导热基底的两侧表面分别形成第一相变层与第二相变层，并进行一段回流，使得导热基底分别与第一相变层与第二相变层相互连接得到复合层，所述导热基底的熔点分别高于所述第一相变层与第二相变层的熔点；(Ⅲ)将所述复合层进行二段回流，所述第一相变层、导热基底与第二相变层相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层。本发明在使用过程中，导热基底与相变层之间会相互扩散，形成一个新的中间层，降低了材料泄露的风险。
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