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公开(公告)号：CN114441149A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210371679.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提出的一种微米发光二极管检测系统及检测方法，属于发光二极管检测领域，其中，系统包括第一光发生模块，用于发出第一光信号至多个待测微米发光二极管，以使多个待测微米发光二极管生成第二光信号；高光谱相机，所高光谱相机用于采集第二光信号，获得光谱成像帧，光谱成像帧中包括多个待测微米发光二极管的光谱数据；控制模块，与高光谱相机连接，用于基于光谱成像帧，从多个待测微米发光二极管中确定出缺陷微米发光二极管，其中，多个待测微米发光二极管，在接收到第一光信号中的光能后，激发自身以生成第二光信号。本发明实现同时准确对多个微米发光二极管进行检测，提高了在生产中对微米发光二极管的检测效率。
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公开(公告)号：CN114441149B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210371679.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提出的一种微米发光二极管检测系统及检测方法，属于发光二极管检测领域，其中，系统包括第一光发生模块，用于发出第一光信号至多个待测微米发光二极管，以使多个待测微米发光二极管生成第二光信号；高光谱相机，所高光谱相机用于采集第二光信号，获得光谱成像帧，光谱成像帧中包括多个待测微米发光二极管的光谱数据；控制模块，与高光谱相机连接，用于基于光谱成像帧，从多个待测微米发光二极管中确定出缺陷微米发光二极管，其中，多个待测微米发光二极管，在接收到第一光信号中的光能后，激发自身以生成第二光信号。本发明实现同时准确对多个微米发光二极管进行检测，提高了在生产中对微米发光二极管的检测效率。
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公开(公告)号：CN114998330A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210894978.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶圆检测技术领域，公开了一种无监督的晶圆缺陷检测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取初始晶圆检测数据集；利用预设无监督自编码器为初始晶圆检测数据集中的无标签晶圆检测数据制作伪标签，生成目标晶圆检测数据集；根据目标晶圆检测数据集对预设分类器进行训练，得到训练好的目标分类器；在接收到待检测晶圆数据时，利用目标分类器对待检测晶圆数据进行检测，得到晶圆缺陷检测结果。通过上述方式，为无标签晶圆检测数据制作伪标签，利用有标签数据和伪标签数据对目标分类器进行训练，使得目标分类器学习到不同的缺陷特征，能够识别到未知的缺陷种类，提高了晶圆缺陷的检测精度。
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公开(公告)号：CN114235759B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210174486.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶圆缺陷检测领域，公开了一种缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质。该方法包括：获取待检测晶圆的光致发光检测结果；根据所述光致发光检测结果和预设热力图模型生成所述待检测晶圆对应的缺陷热力图，所述预设热力图模型基于电致发光缺陷标记后的光致发光检测结果样本构建；根据所述缺陷热力图确定所述待检测晶圆的缺陷检测结果。由于本发明是根据光致发光检测结果通过预设热力图模型生成待检测晶圆对应的缺陷热力图，根据缺陷热力图确定待检测晶圆的检测结果。相对于现有的通过晶圆的光致发光检测结果和电致发光检测结果确定晶圆的缺陷检测结果的方式，本发明上述方式能够提高晶圆的检测效率和检测精度。
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公开(公告)号：CN114998330B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210894978.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶圆检测技术领域，公开了一种无监督的晶圆缺陷检测方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取初始晶圆检测数据集；利用预设无监督自编码器为初始晶圆检测数据集中的无标签晶圆检测数据制作伪标签，生成目标晶圆检测数据集；根据目标晶圆检测数据集对预设分类器进行训练，得到训练好的目标分类器；在接收到待检测晶圆数据时，利用目标分类器对待检测晶圆数据进行检测，得到晶圆缺陷检测结果。通过上述方式，为无标签晶圆检测数据制作伪标签，利用有标签数据和伪标签数据对目标分类器进行训练，使得目标分类器学习到不同的缺陷特征，能够识别到未知的缺陷种类，提高了晶圆缺陷的检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114376609B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210285932.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种鼻声反射仪、鼻气道测量方法、测量设备和介质，该方法包括：通过上位机检测到启动检测信号后，基于FPGA控制器控制电火花发生装置进行周期性放电；基于安装在声波导管中的麦克风采样装置记录电火花发生装置进行周期性放电后产生的声音信号；通过FPGA控制器对麦克风采样装置中的声音信号进行读取和存储后，将存储在FPGA控制器中的声音信号发送至上位机中进行计算，得到鼻气道测量结果。通过将声源由扬声器替换为脉冲极短的电火花，缩短了所需的声波导管的长度，进而避免因螺旋结构的声波导管而导致的鼻气道测量精度下降的问题，通过对连续多次采集的声音信号进行处理计算，进一步提升鼻气道测量的稳定性和测量精度。
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公开(公告)号：CN114376609A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210285932.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种鼻声反射仪、鼻气道测量方法、测量设备和介质，该方法包括：通过上位机检测到启动检测信号后，基于FPGA控制器控制电火花发生装置进行周期性放电；基于安装在声波导管中的麦克风采样装置记录电火花发生装置进行周期性放电后产生的声音信号；通过FPGA控制器对麦克风采样装置中的声音信号进行读取和存储后，将存储在FPGA控制器中的声音信号发送至上位机中进行计算，得到鼻气道测量结果。通过将声源由扬声器替换为脉冲极短的电火花，缩短了所需的声波导管的长度，进而避免因螺旋结构的声波导管而导致的鼻气道测量精度下降的问题，通过对连续多次采集的声音信号进行处理计算，进一步提升鼻气道测量的稳定性和测量精度。
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公开(公告)号：CN114705698A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210619144.X
申请日：2022-06-02
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , G01N21/88 , G01N21/63 , G01N21/66 , G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/44 , G06T7/00 , G06V10/80
Abstract: 本发明公开了一种缺陷检测方法、装置、系统及存储介质，涉及半导体检测技术领域，方法包括：获取待测LED芯片的待测区块；控制激光发射器照射待测区块，获得待测区块的视觉图像和光致发光光谱；根据视觉图像，确定待测区块上第一电极的位置；根据第一电极的位置，控制机械臂上第二电极与第一电极接触，获得待测区块的电致发光光谱；根据视觉图像、光致发光光谱和电致发光光谱，进行缺陷识别和结果融合，得到待测LED芯片的缺陷检测结果。本发明解决了现有技术中Micro‑LED芯片的缺陷检测存在检测效率较低的问题，实现了集成视觉检测、PL检测和EL检测对LED芯片进行缺陷检测的目的，提高了LED芯片缺陷检测效率。
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公开(公告)号：CN114246578A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210189460.8
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种腺样体肥大初筛装置、系统以及终端设备，通过获取模块获取被测对象的平静呼吸数据与体质信息数据，其中，所述平静呼吸数据包括被测对象平静呼吸时的鼻腔压力数据与呼吸流速数据，所述体质信息数据包括所述被测对象的年龄、性别、身高、体重以及民族中的一项或多项；通过分析模块将所述平静呼吸数据与体质信息数据输入预先建立的腺样体初筛模型进行分析，得到所述被测对象的腺样体肥大程度的预估结果。本发明可以简单高效地筛查腺样体的肥大程度，提高了腺样体肥大判断的便利性与准确性。
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公开(公告)号：CN114235759A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210174486.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶圆缺陷检测领域，公开了一种缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质。该方法包括：获取待检测晶圆的光致发光检测结果；根据所述光致发光检测结果和预设热力图模型生成所述待检测晶圆对应的缺陷热力图，所述预设热力图模型基于电致发光缺陷标记后的光致发光检测结果样本构建；根据所述缺陷热力图确定所述待检测晶圆的缺陷检测结果。由于本发明是根据光致发光检测结果通过预设热力图模型生成待检测晶圆对应的缺陷热力图，根据缺陷热力图确定待检测晶圆的检测结果。相对于现有的通过晶圆的光致发光检测结果和电致发光检测结果确定晶圆的缺陷检测结果的方式，本发明上述方式能够提高晶圆的检测效率和检测精度。
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