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公开(公告)号：CN104508975B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380037566.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 天工方案公司
CPC classification number: H03F3/195 , H01L21/8252 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L27/0605 , H01L27/0658 , H01L29/20 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/665 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H03F1/302 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/411 , H03F2200/555 , H04B1/3827 , H04B1/40 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。
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公开(公告)号：CN103503133A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021283.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 天工方案公司
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2223/6672 , H01L2224/04042 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/49111 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00011
Abstract: 为了降低与高射频（RF）损耗镀覆有关的RF损耗，例如，镍/钯/金（Ni/Pd/Au）镀覆，在某些实施例中，焊料掩模可以被重构以防止线焊区域的边缘和侧壁被镀覆。使线焊区域的边缘和侧壁不被高RF损耗镀覆（例如Ni/Pd/Au镀覆）提供了RF电流围绕高阻抗材料流动的通道，这降低了与高阻抗镀覆材料有关的RF信号损耗。而且，为了降低与高RF损耗镀覆（例如，Ni/Pd/Au镀覆）有关的RF损耗，与射频集成电路（RFIC）有关的诸如电容器、电阻器或电感器的芯片上无源器件可相对于RFIC的RF信号输出设置在RF上信号通道中。通过在RF上信号通道中设置芯片上无源器件，RF电流不直接流过无源器件焊盘的高RF损耗镀覆材料。
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公开(公告)号：CN103503133B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280021283.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 天工方案公司
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2223/6672 , H01L2224/04042 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/49111 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00011
Abstract: 为了降低与高射频（RF）损耗镀覆有关的RF损耗，例如，镍/钯/金（Ni/Pd/Au）镀覆，在某些实施例中，焊料掩模可以被重构以防止线焊区域的边缘和侧壁被镀覆。使线焊区域的边缘和侧壁不被高RF损耗镀覆（例如Ni/Pd/Au镀覆）提供了RF电流围绕高阻抗材料流动的通道，这降低了与高阻抗镀覆材料有关的RF信号损耗。而且，为了降低与高RF损耗镀覆（例如，Ni/Pd/Au镀覆）有关的RF损耗，与射频集成电路（RFIC）有关的诸如电容器、电阻器或电感器的芯片上无源器件可相对于RFIC的RF信号输出设置在RF上信号通道中。通过在RF上信号通道中设置芯片上无源器件，RF电流不直接流过无源器件焊盘的高RF损耗镀覆材料。
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公开(公告)号：CN104508975A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380037566.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 天工方案公司
CPC classification number: H03F3/195 , H01L21/8252 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L27/0605 , H01L27/0658 , H01L29/20 , H01L29/7304 , H01L29/7371 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/665 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H03F1/302 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/411 , H03F2200/555 , H04B1/3827 , H04B1/40 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。
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