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公开(公告)号：CN103187340A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210555069.1
申请日：2012-12-19
Applicant: 大日本网屏制造株式会社
CPC classification number: B08B3/04 , B08B7/0092 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。在基板处理装置（1）中，通过从第一液体供给部（31）向基板（9）的上表面（91）供给的纯水的过冷却液在上表面（91）上形成液膜，通过来自冻结部（4）的冷却气体冷却该液膜来形成冻结膜。通过过冷却液形成的液膜的温度比纯水的凝固点低，处于容易冻结的状态。因此，被冻结部（4）冷却了时，能够缩短冻结液膜所需的时间。另外，与利用温度比凝固点高的纯水形成液膜的情况相比，即使来自冻结部（4）的冷却气体的温度变高，也能够迅速地冻结液膜。因此，能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴（41）供给冷却气体的配管等绝热设备。结果，能够抑制冻结液膜所需的冷却成本。
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公开(公告)号：CN102610491A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110291535.5
申请日：2011-09-26
Applicant: 大日本网屏制造株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/02052
Abstract: 本发明在去除附着于基板表面的颗粒等污染物质的基板处理方法及基板处理装置中，提供一种能够不降低处理能力并以优异的面内均匀性去除颗粒等的技术。在相对于基板的旋转中心(P(0))位于基板的外缘侧的初始位置(P(Rin))的上方配置冷却气体喷出喷嘴，并向旋转着的基板的初始位置(P(Rin))供给冷却气体，使附着于包含初始位置(P(Rin))及旋转中心(P(0))的初始区域的DIW凝固。在初始凝固区域形成之后，一边从喷嘴供给冷却气体一边使喷嘴从初始位置(P(Rin))的上方移动到基板的外缘部的上方，由此使凝固的范围向基板的外缘侧扩展，使附着于基板的上表面的全部DIW(凝固对象液)凝固，使液膜整体冻结。
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公开(公告)号：CN102610491B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110291535.5
申请日：2011-09-26
Applicant: 大日本网屏制造株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/02052
Abstract: 本发明在去除附着于基板表面的颗粒等污染物质的基板处理方法及基板处理装置中，提供一种能够不降低处理能力并以优异的面内均匀性去除颗粒等的技术。在相对于基板的旋转中心(P(0))位于基板的外缘侧的初始位置(P(Rin))的上方配置冷却气体喷出喷嘴，并向旋转着的基板的初始位置(P(Rin))供给冷却气体，使附着于包含初始位置(P(Rin))及旋转中心(P(0))的初始区域的DIW凝固。在初始凝固区域形成之后，一边从喷嘴供给冷却气体一边使喷嘴从初始位置(P(Rin))的上方移动到基板的外缘部的上方，由此使凝固的范围向基板的外缘侧扩展，使附着于基板的上表面的全部DIW(凝固对象液)凝固，使液膜整体冻结。
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公开(公告)号：CN102592970A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210005467.6
申请日：2012-01-06
Applicant: 大日本网屏制造株式会社
CPC classification number: B08B3/10 , B08B3/12 , B08B7/0021 , H01L21/02 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/67196
Abstract: 本发明提供一种不使用用于形成凝固体的冷却气体，就能够良好地对基板进行清洗处理的基板处理方法以及基板处理装置。向基板(W)供给作为凝固对象液体的过冷却状态的DIW，借助落在基板(W)而产生的冲击来形成DIW的凝固体。由此，无需使用形成凝固体所需要的气体的冷媒，不需要用于生成气体的冷媒的设备，从而能够缩短处理时间，还能够抑制运转成本等。
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