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公开(公告)号：CN1799171A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015121.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 夏普株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。
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公开(公告)号：CN100440657C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510003967.6
申请日：2005-01-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该发光器件包括：其至少部分表面由氮化物半导体构成的氮化物半导体基板；及叠置于氮化物半导体基板表面上的氮化物膜半导体生长层，其中在氮化物半导体基板表面上形成具有106cm-2或更小缺陷密度的低缺陷区域，并另外形成有呈现凹部形状的挖入区域，而且，在凹部的截面图中测量的凹部的侧面部分与其底面部分的延长线之间的角度即刻蚀角θ在75°≤θ≤140°的范围内。这防止了裂纹的产生，并减少自挖入区域的底部生长部分的蠕升生长，因而减小侧部生长部分的膜厚。这使得可以高合格率地制造出具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层的氮化物半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN1581610B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200410055604.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。
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公开(公告)号：CN101645481A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910140670.2
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/223 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN100370661C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480015121.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 夏普株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638220A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003967.6
申请日：2005-01-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该发光器件包括：其至少部分表面由氮化物半导体构成的氮化物半导体基板；及叠置于氮化物半导体基板表面上的氮化物膜半导体生长层，其中在氮化物半导体基板表面上形成具有106cm－2或更小缺陷密度的低缺陷区域及呈现凹部形状的挖入区域，而且，在凹部的截面图中测量的凹部的侧面部分与其底面部分的延长线之间的角度即刻蚀角θ在75°≤θ≤140°的范围内。这防止了裂纹的产生，并减少自挖入区域的底部生长部分的蠕升生长，因而减小侧部生长部分的膜厚。这使得可以高合格率地制造出具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层的氮化物半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN1581610A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055604.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm－2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。
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公开(公告)号：CN1755957B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200510071664.8
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN101645481B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910140670.2
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/223 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN1755957A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510071664.8
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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