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公开(公告)号：CN102694084A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210077451.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种制造高性能氮化物半导体发光元件的方法，其方法具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以第一温度热处理过的p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102694084B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210077451.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种制造高性能氮化物半导体发光元件的方法，其方法具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以第一温度热处理过的p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102339921B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110202946.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。
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公开(公告)号：CN102339921A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110202946.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。
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