公开(公告)号：CN101351892B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680049666.X

申请日：2006-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福井雄司 ,  疋田智之 ,  榎本修治 ,  吉野和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/41783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种高电压晶体管，该高电压晶体管包括尺寸较小的有源区。一种半导体器件，其包括：形成于半导体衬底中的隔离区；通过隔离区限定的有源区；在半导体衬底上的有源区内形成的栅电极，栅极绝缘体夹在栅电极和半导体衬底之间；提供在栅电极下方的半导体衬底中的沟道区；位于栅电极的两侧上的源极区和漏极区；位于沟道区和源极区或漏极区之间的漂移区，其中源极区和漏极区中的至少一个至少位于隔离区的一部分上并且通过漂移区连接到沟道区。

公开(公告)号：CN101425540A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810176674.1

申请日：2006-04-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 濑良田刚 ,  榎本修治

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823468 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443

Abstract: 经由栅极绝缘膜3在半导体衬底1的上方形成栅电极10，该栅电极10具有形成于栅电极10顶表面上的第一绝缘层5。在半导体衬底1上，以覆盖栅电极10的侧壁和第一绝缘层5顶表面这样的方式形成第二绝缘层7。为了在栅电极10的侧壁上形成侧壁间隔物11以及暴露出元件区的表面，回蚀刻第二绝缘层7。将第一绝缘层5移离栅电极10的表面。在半导体衬底1的表面上，以覆盖栅电极10的顶表面和源－漏区1b表面这样的方式形成高熔点金属膜8，且其后，进行退火由此硅化栅电极10的顶表面和源－漏区1b的表面，以形成硅化层9。根据本发明，即使栅电极的高度制作得低，也能防止栅电极和源－漏区之间的短路。

公开(公告)号：CN100501948C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610075212.1

申请日：2006-04-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 濑良田刚 ,  榎本修治

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823468 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443

Abstract: 经由栅极绝缘膜3在半导体衬底1的上方形成栅电极10，该栅电极10具有形成于栅电极10顶表面上的第一绝缘层5。在半导体衬底1上，以覆盖栅电极10的侧壁和第一绝缘层5顶表面这样的方式形成第二绝缘层7。为了在栅电极10的侧壁上形成侧壁间隔物11以及暴露出元件区的表面，回蚀刻第二绝缘层7。将第一绝缘层5移离栅电极10的表面。在半导体衬底1的表面上，以覆盖栅电极10的顶表面和源-漏区1b表面这样的方式形成高熔点金属膜8，且其后，进行退火由此硅化栅电极10的顶表面和源-漏区1b的表面，以形成硅化层9。根据本发明，即使栅电极的高度制作得低，也能防止栅电极和源-漏区之间的短路。

公开(公告)号：CN101351892A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049666.X

申请日：2006-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福井雄司 ,  疋田智之 ,  榎本修治 ,  吉野和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/41783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种高电压晶体管，该高电压晶体管包括尺寸较小的有源区。一种半导体器件，其包括：形成于半导体衬底中的隔离区；通过隔离区限定的有源区；在半导体衬底上的有源区内形成的栅电极，栅极绝缘体夹在栅电极和半导体衬底之间；提供在栅电极下方的半导体衬底中的沟道区；位于栅电极的两侧上的源极区和漏极区；位于沟道区和源极区或漏极区之间的漂移区，其中源极区和漏极区中的至少一个至少位于隔离区的一部分上并且通过漂移区连接到沟道区。

公开(公告)号：CN1848392A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610075212.1

申请日：2006-04-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 濑良田刚 ,  榎本修治

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823468 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443

Abstract: 经由栅极绝缘膜3在半导体衬底1的上方形成栅电极10，该栅电极10具有形成于栅电极10顶表面上的第一绝缘层5。在半导体衬底1上，以覆盖栅电极10的侧壁和第一绝缘层5顶表面这样的方式形成第二绝缘层7。为了在栅电极10的侧壁上形成侧壁间隔物11以及暴露出元件区的表面，回蚀刻第二绝缘层7。将第一绝缘层5移离栅电极10的表面。在半导体衬底1的表面上，以覆盖栅电极10的顶表面和源－漏区1b表面这样的方式形成高熔点金属膜8，且其后，进行退火由此硅化栅电极10的顶表面和源－漏区1b的表面，以形成硅化层9。根据本发明，即使栅电极的高度制作得低，也能防止栅电极和源－漏区之间的短路。