公开(公告)号：CN101351892A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049666.X

申请日：2006-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福井雄司 ,  疋田智之 ,  榎本修治 ,  吉野和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/41783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种高电压晶体管，该高电压晶体管包括尺寸较小的有源区。一种半导体器件，其包括：形成于半导体衬底中的隔离区；通过隔离区限定的有源区；在半导体衬底上的有源区内形成的栅电极，栅极绝缘体夹在栅电极和半导体衬底之间；提供在栅电极下方的半导体衬底中的沟道区；位于栅电极的两侧上的源极区和漏极区；位于沟道区和源极区或漏极区之间的漂移区，其中源极区和漏极区中的至少一个至少位于隔离区的一部分上并且通过漂移区连接到沟道区。

公开(公告)号：CN101351892B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680049666.X

申请日：2006-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福井雄司 ,  疋田智之 ,  榎本修治 ,  吉野和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/41783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种高电压晶体管，该高电压晶体管包括尺寸较小的有源区。一种半导体器件，其包括：形成于半导体衬底中的隔离区；通过隔离区限定的有源区；在半导体衬底上的有源区内形成的栅电极，栅极绝缘体夹在栅电极和半导体衬底之间；提供在栅电极下方的半导体衬底中的沟道区；位于栅电极的两侧上的源极区和漏极区；位于沟道区和源极区或漏极区之间的漂移区，其中源极区和漏极区中的至少一个至少位于隔离区的一部分上并且通过漂移区连接到沟道区。