公开(公告)号：CN1641880A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510005723.1

申请日：2005-01-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  萩原直人 ,  松下祐二 ,  西汤二

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是一种配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体(8)的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件的制造方法，在比可变电阻体(8)形成前所形成的金属布线层(11)的熔点低的形成温度下形成可变电阻体(8)。更理想的是，在350℃～500℃范围内的成膜温度下，通过溅射法使得用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨－钙－锰氧化物成膜，作为可变电阻体(8)。