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公开(公告)号：CN101300678B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200680040773.6
申请日：2006-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C11/15 , G11C11/22 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: G11C5/063 , G11C7/18 , G11C8/10 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/22 , G11C13/0023 , G11C13/003 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/101
Abstract: 一种交叉点结构的半导体存储装置，具有：多个第一电极布线，在相同方向上延伸；多个第二电极布线，与该第一电极布线交叉；存储材料体，用于在第一电极布线和第二电极布线的交点处存储数据，由于因各电极布线的布线电阻引起的电压降，施加在存储材料体上的有效电压在存储单元阵列内产生偏差。到任意交点的第一电极布线的布线电阻值与到该交点的第二电极布线的布线电阻值之和在各任意交点彼此间实质上为恒定，另外，在第一电极布线或第二电极布线的至少任意一个上连接有以调整存储单元阵列内的电极布线电阻的偏差为目的的负载电阻体。
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公开(公告)号：CN101432878B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780015413.5
申请日：2007-02-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN1445716A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03120449.X
申请日：2003-03-17
Applicant: 日本电信电话株式会社 , 夏普株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/00053
Abstract: 一种制造一种表面形状识别传感器的方法，在一个半导体衬底上形成第一和第二互连部分。在这个半导体衬底上形成一个中间介电膜。一个通过中间介电膜上的第一和第二直通孔，电气连接互连部分的第一金属膜。一个位于第一金属膜上的第一掩模，用于覆盖分别对应直通孔的预定第一和第二区域。可选择地去除这个露出的第一金属膜。一个绝缘钝化膜，用于覆盖传感器电极和连接电极膜。一个位于钝化膜上，能够到达连接电极膜的第三直通孔。一个位于钝化膜上，能够与露出的连接电极相接触的第二金属膜。一个位于第二金属膜上，并在一个预定区域内有一个图形部分的第二掩模。可选择地去除第二金属膜，形成一个通过连接电极膜，连接第二互连部分的接地电极。
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公开(公告)号：CN1203440C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03120449.X
申请日：2003-03-17
Applicant: 日本电信电话株式会社 , 夏普株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/00053
Abstract: 一种制造一种表面形状识别传感器的方法，在一个半导体衬底上形成第一和第二互连部分。在这个半导体衬底上形成一个中间介电膜。一个通过中间介电膜上的第一和第二直通孔，电气连接互连部分的第一金属膜。一个位于第一金属膜上的第一掩模，用于覆盖分别对应直通孔的预定第一和第二区域。可选择地去除这个露出的第一金属膜。一个绝缘钝化膜，用于覆盖传感器电极和连接电极膜。一个位于钝化膜上，能够到达连接电极膜的第三直通孔。一个位于钝化膜上，能够与露出的连接电极相接触的第二金属膜。一个位于第二金属膜上，并在一个预定区域内有一个图形部分的第二掩模。可选择地去除第二金属膜，形成一个通过连接电极膜，连接第二互连部分的接地电极。
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公开(公告)号：CN101300678A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040773.6
申请日：2006-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C11/15 , G11C11/22 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: G11C5/063 , G11C7/18 , G11C8/10 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/22 , G11C13/0023 , G11C13/003 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/101
Abstract: 一种交叉点结构的半导体存储装置，具有：多个第一电极布线，在相同方向上延伸；多个第二电极布线，与该第一电极布线交叉；存储材料体，用于在第一电极布线和第二电极布线的交点处存储数据，由于因各电极布线的布线电阻引起的电压降，施加在存储材料体上的有效电压在存储单元阵列内产生偏差。到任意交点的第一电极布线的布线电阻值与到该交点的第二电极布线的布线电阻值之和在各任意交点彼此间实质上为恒定，另外，在第一电极布线或第二电极布线的至少任意一个上连接有以调整存储单元阵列内的电极布线电阻的偏差为目的的负载电阻体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1776912A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510125483.9
申请日：2005-11-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。
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公开(公告)号：CN101432879B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200780015451.0
申请日：2007-02-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1633 , H01L45/1691 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN101432879A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015451.0
申请日：2007-02-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1633 , H01L45/1691 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN101432878A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015413.5
申请日：2007-02-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN100442519C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510125483.9
申请日：2005-11-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。
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