公开(公告)号：CN111655366A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010809.3

申请日：2019-01-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法默 ,  L·M·吉纳克

IPC: B01J20/20

Abstract: 薄膜带电为极性。使溶液中的碳纳米管(CNT)的表面获取所述极性的电荷。所述溶液通过所述薄膜过滤。所述极性的所述薄膜与所述极性的所述CNT之间的电磁排斥使所述CNT自发排列以形成晶体结构。

公开(公告)号：CN111279487B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201880069716.3

申请日：2018-10-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  汉述仁 ,  D·B·法梅 ,  G·图勒弗斯基 ,  A·阿弗扎利-阿达卡尼

IPC: H10K39/32

Abstract: 一种由计算机实现的方法和包括等离子体材料层和处理器的热成像设备。等离子体材料层接收来自物体的电磁辐射，并在多个波长下生成电磁辐射的辐射测量。处理器根据辐射测量确定物体的发射率和温度，并根据确定的发射率和温度形成物体的基于热的电子图像。

公开(公告)号：CN112204757B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980035755.6

申请日：2019-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法尔梅尔

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体器件包括具有厚度和宽度的条带。所述条带的材料被构造成承载激子以及等离子体激元，并且所述宽度是波导值的反函数，在所述波导值处，所述材料中的等离子体激元的能级基本上等于所述材料中的激子的能级。条带中的等离子体激元和激子的基本相等的能量引起条带中的本征等离子体激元‑激子极化子(IPEP)的激发。第一接触体电耦合到条带上的第一位置，并且第二接触体电耦合到条带上的第二位置。

公开(公告)号：CN116348815A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180072029.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  J·奥尔库塔 ,  熊驰

IPC: G02F1/35

Abstract: 一种量子换能器设备，包括微波谐振器部件和光学谐振器部件，该光学谐振器部件接收并转换一组光学光子以及电压脉冲或调制激光脉冲中的至少一个，并且生成单个微波光子输出。

公开(公告)号：CN108885172B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201780017029.2

申请日：2017-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法默 ,  汉述仁

IPC: G01N21/63

Abstract: 检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。

公开(公告)号：CN111279487A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880069716.3

申请日：2018-10-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  汉述仁 ,  D·B·法梅 ,  G·图勒弗斯基 ,  A·阿弗扎利-阿达卡尼

IPC: H01L27/30

Abstract: 一种由计算机实现的方法和包括等离子体材料层和处理器的热成像设备。等离子体材料层接收来自物体的电磁辐射，并在多个波长下生成电磁辐射的辐射测量。处理器根据辐射测量确定物体的发射率和温度，并根据确定的发射率和温度形成物体的基于热的电子图像。

公开(公告)号：CN112204757A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980035755.6

申请日：2019-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法尔梅尔

IPC: H01L33/00

Abstract: 半导体器件包括具有厚度和宽度的条带。所述条带的材料被构造成承载激子以及等离子体激元，并且所述宽度是波导值的反函数，在所述波导值处，所述材料中的等离子体激元的能级基本上等于所述材料中的激子的能级。条带中的等离子体激元和激子的基本相等的能量引起条带中的本征等离子体激元‑激子极化子(IPEP)的激发。第一接触体电耦合到条带上的第一位置，并且第二接触体电耦合到条带上的第二位置。

公开(公告)号：CN108885172A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017029.2

申请日：2017-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  D·B·法默 ,  汉述仁

IPC: G01N21/63

CPC classification number: H01L51/0048 ,  C01B32/168 ,  C01B32/17 ,  C01B32/176 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/22 ,  H01L27/305 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/441 ,  H01L2251/301

Abstract: 检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。

公开(公告)号：CN120019394A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380072543.1

申请日：2023-09-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克里希南 ,  A·法尔克 ,  M·桑德贝格 ,  J·奥尔卡特

IPC: G06N10/40

Abstract: 提供了用于缓解在量子处理器中的缺陷的影响的方法和系统。一种缓解系统包括量子处理器，该量子处理器包括多个量子比特。该系统包括可以被调谐以产生不同波长的光脉冲的发光源。该系统包括带通滤波器阵列。每个带通滤波器与量子处理器上的量子比特对准，并且具有唯一的通带。该系统可以包括控制器，该控制器被配置为接收对量子比特的选择并且被配置为调谐该发光源以发射光脉冲，该光脉冲具有落入与所选择的量子比特对准的带通滤波器的范围中的波长。光脉冲被用于加扰处理器中的强耦合二能级系统(TLS)的整体。

公开(公告)号：CN120019393A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380072324.3

申请日：2023-09-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·桑德贝格 ,  A·法尔克 ,  K·巴拉克里希南 ,  J·奥尔卡特

IPC: G06N10/40 ,  H04B10/70

Abstract: 提供了用于缓解在量子处理器中的缺陷的影响的方法和系统。一种缓解系统包括具有多个量子比特的量子处理器。该系统包括发光源阵列。每个发光源与量子处理器上的量子比特对准。该系统包括控制器，该控制器被配置为接收对量子比特的选择并且使来自该发光源阵列的发光源能够向该选择的量子比特发射光。该光用于打乱量子处理器中的强耦合二能级系统(TLS)。