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公开(公告)号：CN112964926B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN112964926A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN112986782A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202946.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
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公开(公告)号：CN112946448A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110111925.3
申请日：2021-01-27
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于功率器件参数测试设备技术领域，具体涉及一种功率器件高低压测试设备。针对现有功率器件测试设备，或者需要手动切换连线，测试效率低，容易出错，或者体积大、成本高、使用寿命低、连接复杂、测试准确度不高的不足，本发明采用如下技术方案：一种功率器件高低压测试设备，包括：低压仪表设备单元；低压控制单元；高压仪表设备单元；高压控制单元；器件适配单元，所述器件适配单元包括器件组装连接器、适配连接器、位置控制器以及信号处理器；测试主控单元，所述测试主控单元根据测试需求发送指令。本发功率器件高低压测试设备的有益效果是：实现自动测试多种项目。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117031143A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310782224.1
申请日：2023-06-28
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 中电普瑞电力工程有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直流变压器子模块测试电路及其控制方法。现有的直流变压器子模块测试方法只适用于变压器原副边均为H桥的子模块拓扑，不适用于均压电路+LLC谐振变换器方案的直流变压器子模块测试。本发明的直流变压器子模块测试电路，包括Boost电路和试验电源；所述的Boost电路包括电容和电感，所述的电容和电感串联后用于连接直流变压器原边的子模块输入端；所述的试验电源，其用于与直流变压器副边的子模块直流输出侧相连，为子模块提供损耗能量。本发明实现了均压电路+LLC谐振变换器子模块等效功率测试和性能检测。
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公开(公告)号：CN116125214B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211207537.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种局部放电与电树枝变频测量方法及系统，属于电缆绝缘老化技术领域。本发明的一种局部放电与电树枝变频测量方法，通过构建测量起树参数模型、起树电压分析模型、分析处理模型，完成被测试样的局部放电与电树枝变频测量，进而本发明可以得到绝缘介质中电树枝生长和局部放电发展之间的关系，能够通过分析局部放电信息来准确评估绝缘介质绝缘状态，有效发现并排除潜在性绝缘故障，方案科学合理，切实可行。进一步，本发明构建测量起树参数模型、起树电压分析模型对被测试样的起树电压和频率进行设置以及控制，从而能够较为全面的获取被测试样的监测数据，便于准确监测电力电缆的绝缘老化，考量因素全面，利于推广使用。
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公开(公告)号：CN116309483A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294095.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06T7/00 , G06T5/00 , G06T7/70 , G06N3/0895
Abstract: 本发明公开了一种基于DDPM的半监督变电设备表征缺陷检测方法及系统，涉及缺陷检测技术领域，具体步骤为：获取正常设备的图像数据作为样本图片；以DDPM网络为基本框架构建初步深度学习网络模型；利用样本图片对初步深度学习网络模型进行训练，获得最终深度学习网络模型；将待检测的图像数据输入最终深度学习网络模型获得重建图像数据；基于待检测的图像数据与重建图像数据的差值确定缺陷位置。本发明能够实现变电设备表征缺陷检测，具有较高的准确率，并且具有稳定性好，通用性高等优点，具有良好的鲁棒性，能够应用于变电现场智能监管系统。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN111965214B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010656434.2
申请日：2020-07-09
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州格创新能源有限公司
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种架空线路复合绝缘子发热缺陷判断方法及系统。目前的方法采用同一支复合绝缘子不同位置的温差或者同塔不同相别复合绝缘子之间的温差进行判断，该方法容易受到复合绝缘子伞裙与芯棒的温差、测试图像清晰度不足引发局部温度失真的影响，造成误判。本发明采用的判断方法为：首先提取复合绝缘子芯棒中轴线温度曲线，随后通过温度曲线低频分量梯度最大值和温度曲线梯度数据标准差实现复合绝缘子发热缺陷的判定。本发明考虑了复合绝缘子本体缺陷发热，复合绝缘子伞裙与芯棒温差、测试图像清晰度不足引发局部温度失真之间的特征差异，可显著提升架空线路复合绝缘子现场红外测试发热缺陷判断准确度。
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