-
公开(公告)号：CN112964926B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
-
公开(公告)号：CN112964926A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
-
公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
-
公开(公告)号：CN112986782A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202946.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
-
公开(公告)号：CN112946448A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110111925.3
申请日：2021-01-27
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于功率器件参数测试设备技术领域，具体涉及一种功率器件高低压测试设备。针对现有功率器件测试设备，或者需要手动切换连线，测试效率低，容易出错，或者体积大、成本高、使用寿命低、连接复杂、测试准确度不高的不足，本发明采用如下技术方案：一种功率器件高低压测试设备，包括：低压仪表设备单元；低压控制单元；高压仪表设备单元；高压控制单元；器件适配单元，所述器件适配单元包括器件组装连接器、适配连接器、位置控制器以及信号处理器；测试主控单元，所述测试主控单元根据测试需求发送指令。本发功率器件高低压测试设备的有益效果是：实现自动测试多种项目。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118917115B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411410484.7
申请日：2024-10-10
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 王一帆 , 林浩凡 , 陆晓峰 , 杨勇 , 金涌涛 , 杨智 , 王少华 , 穆海宝 , 孙明 , 龚金龙 , 于兵 , 周晨辉 , 花啸昌 , 赖泽楷 , 马钰 , 王帅 , 周晋名 , 白彤 , 赵琳 , 王尊
IPC: G06F30/20 , G06F113/04
Abstract: 本发明公开了一种基于换流阀仿真的高频等效电路控制方法和系统，属于换流变压器仿真技术领域。现有技术缺乏一种能够准确模拟处于实际运行工况中的换流阀以及阀臂的等效模型，导致无法准确模拟因换流阀以及阀臂关断所产生的高频电流以及电压信号。本发明的一种基于换流阀仿真的高频等效电路控制方法，通过构建脉冲触发控制模型、脉冲触发信号生成模型、换流阀高频等效模型，充分考虑高频信号的传播过程以及时频域特征，并耦合电容和电感的作用，对换流阀中的一个或多个阀臂进行高频建模，因而可以准确模拟处于实际运行工况中的换流阀以及阀臂，从而可以精准仿真因换流阀以及阀臂关断所产生的高频电流以及电压信号，利于换流阀的推广使用。
-
公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
-
公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
-
公开(公告)号：CN117407538A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311407010.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京中电普华信息技术有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国网信息通信产业集团有限公司
Inventor： 高晓欣 , 许海清 , 赵海翔 , 许元斌 , 刘永清 , 刘玉玺 , 王思宁 , 李刚 , 欧阳红 , 杨强 , 王宇 , 王明 , 焦艳斌 , 韩泽华 , 陈刚 , 孙明 , 韩嘉佳 , 孙歆 , 颜拥 , 姚影
IPC: G06F16/36 , G06F16/38 , G06F16/383
Abstract: 本发明提供了一种标准关系的建立方法及装置，应用于信息处理技术领域，获取待处理的标准文本和预先创建的标准数据库，标准文本包括引用文件清单，标准数据库包括标准编号，对引用文件清单进行处理，得到引用标准信息，引用标准信息包括标准编号，判断引用标准信息是否包括标准发布年号，若包括，则基于引用标准信息的标准编号和标准数据库的标准编号，确定引用标准信息的具体信息，并建立标准关系，若不包括，则基于引用标准信息的标准编号和标准数据库的标准编号，确定虚拟标准信息，利用虚拟标准信息，确定引用标准信息的具体信息，并建立标准关系，通过建立和更新虚拟标准信息，不需要人工手动进行查找分析，提高了效率。
-
公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.106 seconds)
