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公开(公告)号:CN117199169A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202210603453.8
申请日:2022-05-30
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18
摘要: 本公开提出一种铜栅线硅异质结电池的边缘钝化方法及装置,涉及电池技术领域。包括:对铜栅线硅异质结电池进行切片,以获取多个电池分片;将由多个电池分片堆叠形成的电池垛,转移至化学气相沉积设备中;在预设时间段内,向化学气相沉积设备内通入氢气,其中,第一氢气流量为5000‑25000sccm;在电池垛中每个电池分片的切片断面处沉积本征非晶硅薄膜,以获取边缘钝化的电池分片,其中,本征非晶硅薄膜的沉积温度为80‑120℃。由此,可以在低温下对铜栅线硅异质结电池分片的切片断面进行钝化处理,保证铜栅线硅异质结电池分片及铜电极在不受影响的前提下,降低铜栅线硅异质结电池分片的切片断面的载流子复合速率,改善钝化效果,提高了切片铜栅线硅异质结电池的效率。
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公开(公告)号:CN110518095A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201910807141.7
申请日:2019-08-29
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/20
摘要: 本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括:至少一次光照处理,所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此,通过光照处理,对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入,提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移,有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度,提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子,进而提高电池效率;而且,该光处理方法无需改变电池结构,简单易操作,稳定性好,适用于硅异质结电池的规模化生产。
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公开(公告)号:CN113943920B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202110887924.8
申请日:2021-08-03
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法,包括:a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积;b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积;c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构,并且采用真空退火处理,沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行,有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量,从而提高了电池性能。
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公开(公告)号:CN115274767B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210347717.8
申请日:2022-04-01
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H10K39/15 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0725 , H10K30/40
摘要: 本发明公开了一种叠层太阳能电池,包括第一电极层、第二电极层和透明电池,所述第一电极层和所述第二电极层为可透光材质,所述第一电极层和所述第二电极层平行间隔布置;所述透明电池连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间且可透光,所述透明电池包括多个子电池和至少一个隧穿层,多个所述子电池和至少一个隧穿层一一交替布置,相邻两个所述子电池之间通过对应的所述隧穿层相连,所述子电池适于吸收阳光并将阳光中的部分太阳能转化为电能,多个所述子电池的带隙不同以适于吸收不同波长的阳光。本发明实施例的叠层太阳能电池具有透光性好、发电效率高的优点。
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公开(公告)号:CN113035995A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN201911350645.7
申请日:2019-12-24
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要: 本发明提供了用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括:提供基底,基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对设置的表面上的非晶硅薄膜;在第一特定环境中,在非晶硅薄膜的表面上沉积形成第一ITO薄膜,第一特定环境中包括水汽。由此,非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面以及第一ITO薄膜内部形成大量的氢原子,氢原子的还原能力能够阻止非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面形成氧化硅,进而提高非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面质量和界面性能,提高界面之间的载流子的输运。
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公开(公告)号:CN110634990A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201910807485.8
申请日:2019-08-29
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要: 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括:提供基底,所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜;在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜;在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜;沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此,上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。
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公开(公告)号:CN117352599A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202210741535.9
申请日:2022-06-28
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要: 本发明涉及异质结太阳能电池领域,具体涉及一种硅异质结电池铜栅线的制备方法。本发明提供一种硅异质结电池铜栅线的制备方法,包括在形成铜种子层的电池正背表面制备油墨层,再刻蚀掉电池侧面的铜种子层和TCO薄膜。该方法仅通过一次掩膜,即实现了电池表面图形化,同时解决了侧面隔离的问题,保证后续电镀工艺中电池侧面不会有金属铜沉积,避免由此导致的电池漏电,提高电池的性能、生产良率和质量。此外,相对于干膜,油墨材料的成本较低,能够显著降低电池的生产成本。
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公开(公告)号:CN110518095B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201910807141.7
申请日:2019-08-29
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/20
摘要: 本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括:至少一次光照处理,所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此,通过光照处理,对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入,提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移,有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度,提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子,进而提高电池效率;而且,该光处理方法无需改变电池结构,简单易操作,稳定性好,适用于硅异质结电池的规模化生产。
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公开(公告)号:CN110649129A
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201910887237.9
申请日:2019-09-19
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0725 , H01L31/076
摘要: 本发明提出一种硅异质结太阳电池,包括:n型晶硅衬底;分别设置于n型晶硅衬底上表面的第一本征非晶硅层和下表面的第二本征非晶硅层;设置于第一本征非晶硅层上表面的p型掺杂非晶硅发射极层;设置于第二本征非晶硅层下表面的n型掺杂非晶硅背场层;设置于p型掺杂非晶硅发射极层上表面的第一TCO层;设置于n型掺杂非晶硅背场层下表面的第二TCO层;分别设置于第一TCO层上表面和第二TCO层下表面的铜栅线电极层。第一TCO层的功函数高于第二TCO层,这样正背面TCO薄膜不仅可分别与p型非晶硅发射极及n型非晶硅背场形成良好的接触,同时满足载流子输运的功函数要求,利于降低接触电阻,提高电池效率。
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公开(公告)号:CN115274767A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210347717.8
申请日:2022-04-01
申请人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号: H01L27/30 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0725 , H01L51/42
摘要: 本发明公开了一种叠层太阳能电池,包括第一电极层、第二电极层和透明电池,所述第一电极层和所述第二电极层为可透光材质,所述第一电极层和所述第二电极层平行间隔布置;所述透明电池连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间且可透光,所述透明电池包括多个子电池和至少一个隧穿层,多个所述子电池和至少一个隧穿层一一交替布置,相邻两个所述子电池之间通过对应的所述隧穿层相连,所述子电池适于吸收阳光并将阳光中的部分太阳能转化为电能,多个所述子电池的带隙不同以适于吸收不同波长的阳光。本发明实施例的叠层太阳能电池具有透光性好、发电效率高的优点。
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