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公开(公告)号：CN100490052C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610010244.3
申请日：2006-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多阴极脉冲弧等离子体源装置，它涉及一种脉冲等离子体产生装置。针对现有脉冲阴极弧等离子体源，存在易短路的问题及采用在真空室上安装多个阴极弧等离子体源，存在设备投资大和采用破坏真空的方法，存在工件强化层性能差的问题。本发明的推进杆(14)装在阴极外套(2)内并与阴极(4)相连接，装在阴极(4)上的触发极(6)与阴极(4)之间装有绝缘瓷套(7)，公共弹簧触发杆装置(20)的一端与相对应的触发极(6)相接触，推进杆(14)上装有螺旋传动的从动齿轮(13)，移动杆(15)的下端装在阴极外套(2)内，移动杆(15)的下端装有主动齿轮(12)，阳极(5)位于阴极4的正下方，阳极(5)的下端装有不锈钢弯管总成(10)。本发明具有稳定工作时间长、可在不破坏真空的条件下实现多个阴极的任意切换的优点。
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公开(公告)号：CN100412228C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610010136.6
申请日：2006-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铝或铝合金基体表面离子注入与沉积复合强化处理方法，它涉及一种金属材料表面离子注入与沉积复合强化处理方法。它解决了类金刚石碳膜与铝或铝合金基体间残余应力大、结合力和承载能力差，DLC在高速重载条件下耐磨损性能低，易从铝或铝合金基体上剥落的问题。合成方法按以下步骤进行：(一)铝或铝合金超声清洗；(二)铝或铝合金氩离子溅射清洗；(三)钛离子注入；(四)PIIID法沉积Ti；(五)PIIID法沉积TiN；(六)PIIID法沉积Ti(CN)；(七)PIIID法沉积TiC；(八)合成类金刚石碳膜，即得到表面有多层梯度膜的铝或铝合金；步骤(二)至(八)在真空室内进行。本发明中多层梯度膜上的DLC的磨损寿命比相同厚度的单层DLC提高10倍以上，摩擦系数低于0.1。
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公开(公告)号：CN1175124C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02133101.4
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术，并使工件在10～60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1-1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1-2)组成。在固定盘(1-1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1-3)，动盘(1-2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。
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公开(公告)号：CN1414135A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02133101.4
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术，并使工件在10～60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1－1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1－2)组成。在固定盘(1－1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1－3)，动盘(1－2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。
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公开(公告)号：CN1858296A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610010136.6
申请日：2006-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铝或铝合金基体表面离子注入与沉积复合强化处理方法，它涉及一种金属材料表面离子注入与沉积复合强化处理方法。它解决了类金刚石碳膜与铝或铝合金基体间残余应力大、结合力和承载能力差，DLC在高速重载条件下耐磨损性能低，易从铝或铝合金基体上剥落的问题。合成方法按以下步骤进行：(一)铝或铝合金超声清洗；(二)铝或铝合金氩离子溅射清洗；(三)钛离子注入；(四)PIIID法沉积Ti；(五)PIIID法沉积TiN；(六)PIIID法沉积Ti(CN)；(七)PIIID法沉积TiC；(八)合成类金刚石碳膜，即得到表面有多层梯度膜的铝或铝合金；步骤(二)至(八)在真空室内进行。本发明中多层梯度膜上的DLC的磨损寿命比相同厚度的单层DLC提高10倍以上，摩擦系数低于0.1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1851041A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610010059.4
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法，它涉及一种轴承表面强化处理方法。针对轴承外圈滚道采用等离子体浸没离子注入与沉积处理存在强化层结合力差及均匀性差问题。本发明是这样完成的：将超声清洗后的轴承外圈(3)组成圆筒放到真空室内抽真空，通入碳氢化合物气体，先对圆筒内腔进行高能C离子注入，工作气压为2.0×10－1～6.0×10－1Pa，偏压幅值为10～30kV，脉冲宽度为20～60μs，脉冲频率为50～350Hz，再对圆筒内腔进行类金刚石碳膜薄膜沉积，工作气压为2～8Pa，偏压幅值为2～4kV，脉冲宽度为10～20μs，脉冲频率为2～8kHz。经本发明处理过的轴承外圈滚道具有较好的耐磨性，纳米硬度值为15～20GPa，磨损寿命在200g载荷下为8万转，稳定阶段的摩擦系数为0.08，可实现批量处理。
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公开(公告)号：CN100410418C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610010059.4
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法，它涉及一种轴承表面强化处理方法。针对轴承外圈滚道采用等离子体浸没离子注入与沉积处理存在强化层结合力差及均匀性差问题。本发明是这样完成的：将超声清洗后的轴承外圈(3)组成圆筒放到真空室内抽真空，通入碳氢化合物气体，先对圆筒内腔进行高能C离子注入，工作气压为2.0×10-1～6.0×10-1Pa，偏压幅值为10～30kV，脉冲宽度为20～60μs，脉冲频率为50～350Hz，再对圆筒内腔进行类金刚石碳膜薄膜沉积，工作气压为2～8Pa，偏压幅值为2～4kV，脉冲宽度为10～20μs，脉冲频率为2～8kHz。经本发明处理过的轴承外圈滚道具有较好的耐磨性，纳米硬度值为15～20GPa，磨损寿命在200g载荷下为8万转，稳定阶段的摩擦系数为0.08，可实现批量处理。
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公开(公告)号：CN1901136A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610010244.3
申请日：2006-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多阴极脉冲弧等离子体源装置，它涉及一种脉冲等离子体产生装置。针对现有脉冲阴极弧等离子体源，存在易短路的问题及采用在真空室上安装多个阴极弧等离子体源，存在设备投资大和采用破坏真空的方法，存在工件强化层性能差的问题。本发明的推进杆(14)装在阴极外套(2)内并与阴极(4)相连接，装在阴极(4)上的触发极(6)与阴极(4)之间装有绝缘瓷套(7)，公共弹簧触发杆装置(20)的一端与相对应的触发极(6)相接触，推进杆(14)上装有螺旋传动的从动齿轮(13)，移动杆(15)的下端装在阴极外套(2)内，移动杆(15)的下端装有主动齿轮(12)，阳极(5)位于阴极4的正下方，阳极(5)的下端装有不锈钢弯管总成(10)。本发明具有稳定工作时间长、可在不破坏真空的条件下实现多个阴极的任意切换的优点。
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