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公开(公告)号：CN119735245A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411900823.X
申请日：2024-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高熵双相硫化物及其制备方法和应用，属于电磁波吸收材料领域。本发明要解决如何增强高熵硫化物在电磁衰减中的弱界面极化效应的问题。本发明用溶剂热和退火方法，将Cu和Al金属元素引入多金属硫化物中，合成了一种具有双相结构的六组元高熵硫化物吸波材料(6‑HES)，其中所有金属元素均匀地分布在具有晶格缺陷的M9S8和MS(M代表金属元素)两种物相中。本发明方法制备的高熵双相硫化物具有异质界面结构和丰富空位缺陷，这不仅可以提高其电导损耗，而且还可以增强缺陷诱导的极化和界面损耗。本发明挖掘了多金属硫化物在电磁衰减领域的潜能。
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公开(公告)号：CN116003128A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310060854.8
申请日：2023-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种具有超高储能效率的KNN基无铅铁电储能陶瓷材料及其制备方法，它涉及无铅铁电储能陶瓷材料及其制备方法，它是要解决现有的高储能效率铁电储能陶瓷储能效率低、能源利用率低的技术问题。本材料为(1‑x)[0.88K0.5Na0.5NbO3‑0.12Bi(Ni2/3Ta1/3)O3]‑xBi0.5Na0.5TiO3，x＝0.20～0.25。制法：按化学计量比称取原料并球磨混合，再预烧、球磨压片、排胶后烧结即得。对材料施加外加电场，材料铁电畴翻转响应迅速，极化滞后大大减弱，电滞回线表现为细长型，储能效率为98.17％～99.32％，有效储能密度达到0.804～1.032J/cm3，可用于电介质储能领域。
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公开(公告)号：CN113193379B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110399771.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种S/C双频带多层可调谐式频率选择表面的制备方法，属于双频带频率选择表面的技术领域。本发明是要解决现有的频率选择表面中低频吸波性能差及工作频率单一的技术问题。本发明方法如下：一、将聚乙烯醇缩丁醛粉末加入无水乙醇中，用磁力搅拌器在室温下搅拌直至溶液透明，然后加入不同用量和种类的粉末、以及磷酸三丁酯和邻苯二甲酸二丁酯，再搅拌，得到悬浊液，然后流延成膜，干燥或者风干，得到多个薄膜；二、分别进行雕刻，在薄膜上得到蜂窝结构，得到多个单层频率选择表面；步骤三、然后按不同方式叠放在一起，分别测试吸波性能，绘制其反射损耗曲线图，总结吸波性能的变化规律。本发明对于S、C波段的雷达波探测有很好的隐身效果。
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公开(公告)号：CN106323994A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610716125.3
申请日：2016-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N22/00
CPC classification number: G01N22/00
Abstract: 一种微波探测系统及方法，涉及基于电磁波磁分量的微波探测系统及方法，解决依靠高频电路难于对微波进行相位分辨探测，且设备成本过高的问题。包括多铁异质结和硅基共面波导，所述硅基共面波导上设置多铁异质结。对微波探测系统施加外电场E，并进行电场控制调节标定，建立外电场E与共振频率的一一对应关系f(E)＝γ(H0+kE)，其中H0为外加静磁场强度，γ为电子旋磁比，E为外电场的电场强度，k为线性系数，然后对微波探测系统施加未知微波；获取微波频率的步骤，获取微波方向的步骤，获取微波相位的步骤，通过基于铁磁共振系统的微波波导，使探测原件可以实现集成化和小型化，工艺简单，成本低廉，基于微波磁分量对微波进行探测。
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公开(公告)号：CN116053807A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310055383.1
申请日：2023-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种柔性宽带吸收超材料薄膜的制备方法，它涉及电磁吸收超材料的制备方法。它是要解决现有超材料薄厚度下有效吸收带宽窄及难于变形加工的技术问题。本发明的制法：一、配制PVB粘结剂；二、将石墨烯和羰基铁粉末加入无水乙醇，球磨、烘干，得到复合吸收剂；三、将复合吸收剂加入到PVB粘结剂中制备浆料；四、将浆料在玻璃基板上流延、干燥，得到薄膜；五、用激光雕刻机在薄膜表面雕刻周期性单元，得到柔性宽带吸收超材料薄膜。在1.5mm厚度下薄膜的有效吸收带宽覆盖14.039GHz‑26.985GHz，并且其最大反射损耗可达‑21.127dB，制备方法简易、可大规模生产，易于变形和加工，可用于电磁吸收领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115677338A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211456399.5
申请日：2022-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/32 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 一种Z型六角铁氧体磁电耦合陶瓷材料及其制备方法，它涉及磁电耦合陶瓷材料及其制备方法，它是要解决现有的磁电耦合陶瓷材料种类少、磁电耦合强度低、所需诱导外磁场大的问题。本发明的材料为Ba1.5Sr1.5Co2‑xCuxFe24O41，x＝0.5～0.75。制法：按化学计量比称取原料并球磨混合，再预烧，再经球磨压片、排胶后，在管式炉中烧结，即得。对本发明的材料施加正或负极化电场，可诱导出正或负铁电极化状态，且在单一极化状态下的极化方向不随外磁场翻转而翻转。材料的磁释电电流达到1.0～1.4μA/m2，最大极化强度为3～3.3μC/m2，最大磁电耦合系数达170～190ps/m，可用于磁电耦合领域。
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公开(公告)号：CN113150376B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110410683.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双层超宽带薄型吸波超材料的仿真及制备方法；属于宽带薄型吸波超材料技术领域。本发明要解决现有的吸波超材料中有效吸收带宽窄及材料厚度较大的技术问题。本发明方法：配置PVA水溶液，加入石墨烯，得到悬浊液；填充上下层模具中；复合在一起得到双层超宽带薄型吸波超材料；测试双层超宽带薄型吸波超材料的吸波性能，得到反射损耗曲线，并与CST Studio Suite的仿真结果进行比较，验证其超宽带的微波有效吸收效果。本发明的制备方法简单，制备效率高，有效吸收带宽宽，不使用专用设备，可实现工业化大规模生产，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113239419A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110401098.1
申请日：2021-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于厚度和尺寸变化的蜂窝结构可调谐超表面的设计方法；属于可调谐超表面的技术领域。本发明要解决现有的超表面吸波材料中工作频率单一且固定的技术问题。本发明制备多张蜂窝结构超表面；再通过拱形架法测试步骤四多张蜂窝结构超表面吸波性能，得到反射损耗曲线，并与CST Studio Suite的仿真结果进行比较，总结其工作频率随厚度和尺寸的变化规律，最终获得一组基于厚度和尺寸变化的蜂窝结构可调谐超表面。本发明的制备方法简单，制备效率高，对微波吸收工作频率调节有效。
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公开(公告)号：CN108516827B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810630435.2
申请日：2018-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种无铅高介电储能密度和高储能效率的陶瓷材料及其制备方法，它涉及陶瓷材料及其制备方法。它是要解决现有铅基陶瓷介电储能材料中铅的环境污染及介电储能效率低的技术问题。本发明的陶瓷材料的化学表达式为(Sr0.5Ba0.5)1+xNb2‑xFexO6，其中0＜x≤0.05。制法：碳酸锶、碳酸钡、五氧化二铌和三氧化二铁粉末混合后湿法球磨，烘干后放在管式炉预烧，然后再湿法球磨，烘干后加入粘结剂压制成预制体，再将预制体于管式炉中烧结，得到无铅高介电储能密度和高储能效率的陶瓷材料。该陶瓷材料的介电储能效率为833％～93％，介电储能密度为0.59～0.69J/cm3，可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号：CN107473744A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710846011.5
申请日：2017-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种钛酸钡基陶瓷材料中圆形晶粒与高长径比棒状晶粒比例的气氛调节方法，它涉及钛酸钡基陶瓷材料的制备方法。它是要解决陶瓷材料中棒状晶粒长径比低并且棒状晶粒比例难以调节的技术问题。本制法：将碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、五氧化二钽和二氧化锆按照0.2Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–0.8Ba0.7Ca0.3FeTaO5的化学计量比混匀，粉末混合后湿法球磨，烘干后预烧，然后再湿法球磨，烘干后加入粘结剂压制成预制体，再将预制体在不同的气氛下烧结，得到钛酸钡基陶瓷材料。通过调节陶瓷烧结气氛可以实现陶瓷产品表面高长径比棒状晶粒所占比例从0到100％的调节，可用于电气、电子领域。
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