公开(公告)号：CN119735245A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411900823.X

申请日：2024-12-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李均 ,  张政宇 ,  陈泽庚 ,  王欣祺 ,  赵东鹏 ,  雨田 ,  肖晓灵 ,  曾昱霖 ,  周子靖 ,  周忠祥

IPC: C01G53/82 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明公开了一种高熵双相硫化物及其制备方法和应用，属于电磁波吸收材料领域。本发明要解决如何增强高熵硫化物在电磁衰减中的弱界面极化效应的问题。本发明用溶剂热和退火方法，将Cu和Al金属元素引入多金属硫化物中，合成了一种具有双相结构的六组元高熵硫化物吸波材料(6‑HES)，其中所有金属元素均匀地分布在具有晶格缺陷的M9S8和MS(M代表金属元素)两种物相中。本发明方法制备的高熵双相硫化物具有异质界面结构和丰富空位缺陷，这不仅可以提高其电导损耗，而且还可以增强缺陷诱导的极化和界面损耗。本发明挖掘了多金属硫化物在电磁衰减领域的潜能。