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公开(公告)号：CN114112973B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111476732.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明提供了一种基于高载流子浓度导电薄膜的气体传感架构及传感器，该气体传感架构包括：第一气体吸附层、第二气体吸附层、周期微纳米金属层、支撑层和功能层；功能层为透明导电薄膜，透明导电薄膜的载流子浓度≥1×1019cm‑3；第一气体吸附层、周期微纳米金属层、支撑层和功能层依次叠加组成光学模块；光学模块用于利用外部的红外光源与探测器对目标待检测气体的浓度进行检测；其中，光学模块中的功能层用于反射红外光；第二气体吸附层和功能层组成电学模块；其中，电学模块用于根据功能层的阻值变化，利用外部的检测器对目标待检测气体的浓度进行检测。本发明提供的基于气体传感架构的传感器具有高灵敏度和大量程。
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公开(公告)号：CN113235042B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110516132.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗激光损伤混杂VOx相的制备方法，本发明属于功能薄膜材料，它为了解决现有采用不同工艺制备的氧化钒薄膜的光学调制性能参差不齐，极大的限制了薄膜的激光防护效能的问题。制备方法：一、超声清洗基底材料和靶材；二、安装V2O3靶材；三、真空室抽气；四、设置沉积温度，采用直流偏压反溅清洗；五、当等离子亮起后降低气压至0.5～1.5Pa，同时通入0.3～0.8sccm的O2，设置偏压为‑100～‑140V，进行预溅射清洁靶材表面，然后打开挡板，沉积薄膜。本发明还可采用退火方法。本发明利用射频磁控溅射工艺，通过控制沉积工艺参数，制备了主要成分为VO2和V2O5的高VO2比例混杂晶态VOx相薄膜。
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公开(公告)号：CN111690905B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010589832.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法，本发明涉及一种瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法。本发明解决现有的聚合物/液晶材料及器件在中红外波段防护效果不理想及稳定性较差的问题。复合薄膜由两侧表层及电致变色夹层组成，所述的两侧表层由外至内依次为衬底、热致变色层及透明导电层，所述的电致变色夹层由两侧的液晶分子取向层和中间的聚合物稳定液晶膜层组成；方法：一、制备热致变色层；二、制备透明导电层；三、制备液晶分子取向层；四、制备液晶均相混合液；五、制备电致变色层。本发明用于多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备。
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公开(公告)号：CN115755258A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211434779.9
申请日：2022-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种中远红外宽波段高透过红外窗口及其制备方法，涉及一种红外窗口及其制备方法。本发明是要解决现有的多光谱ZnS红外窗口平均透过率只有60％左右，无法满足应用需求的技术问题。本发明利用高低折射率搭配的原则，选用高折射率ZnS和低折射率YF3为基础的膜系材料，考虑到红外窗口需要具备抗极端环境的高机械性能，在膜系最外层采用高硬膜Y2O3为保护层。本发明的中远红外宽波段高透过红外窗口兼顾了中远红外波段高透过，在3μm～12μm范围内的透过率高于85％，具有良好的中远红外光学性能。该红外窗口的实现可为飞行器宽波段工作提供技术保障，极大程度地提升飞行器的服役性能。
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公开(公告)号：CN114112973A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111476732.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明提供了一种基于高载流子浓度导电薄膜的气体传感架构及传感器，该气体传感架构包括：第一气体吸附层、第二气体吸附层、周期微纳米金属层、支撑层和功能层；功能层为透明导电薄膜，透明导电薄膜的载流子浓度≥1×1019cm‑3；第一气体吸附层、周期微纳米金属层、支撑层和功能层依次叠加组成光学模块；光学模块用于利用外部的红外光源与探测器对目标待检测气体的浓度进行检测；其中，光学模块中的功能层用于反射红外光；第二气体吸附层和功能层组成电学模块；其中，电学模块用于根据功能层的阻值变化，利用外部的检测器对目标待检测气体的浓度进行检测。本发明提供的基于气体传感架构的传感器具有高灵敏度和大量程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113237842A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110449247.1
申请日：2021-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 一种傅里叶红外光谱仪样品架及使用方法，涉及一种傅里叶红外光谱仪样品架。本发明是为了解决现有技术存在的出入射光线位置点变动，出射光线传播路径改变，最终可能导致测试结果不准确的问题。装置：工装底座上方滑动设置两个支撑柱，两个量角器的直线端分别固定安装在两个支撑柱上，两个测试样品支架底部分别转动连接在两个支撑柱上，两个测试样品分别插装在两个测试样品支架上。方法：步骤一、首先将工装底座平稳安装放置在测试所需的工况或者环境中；步骤二、通过旋转两个测试样品支架来调整测试斜入射角度，角度值可由量角器读出；步骤三、将两个测试样品按照对称要求放置在两个支架上；步骤四、准备完毕后，开始测试。本发明用于光路转换。
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公开(公告)号：CN109659396A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN115747739B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211438098.X
申请日：2022-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法，涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜，制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上，电导率均在30S/cm以上；镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60％，中红外透过率也可达约为50％，实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。
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公开(公告)号：CN112795883A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
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公开(公告)号：CN115747739A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211438098.X
申请日：2022-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法，涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜，制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上，电导率均在30S/cm以上；镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60％，中红外透过率也可达约为50％，实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。
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