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公开(公告)号：CN100453995C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610151069.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片；二、在计算机中建立该图片的平面坐标系，确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标，通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值，利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异，弃掉包层区的像素点，把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1963431A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151069.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片；二、在计算机中建立该图片的平面坐标系，确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标，通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值，利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异，弃掉包层区的像素点，把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。
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公开(公告)号：CN1598522A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410043789.5
申请日：2004-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚的导电膜，利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描，清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点；把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中，利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。用本发明的保偏光纤的测量方法获得应力区和芯区的实际几何形状和精确掺杂浓度，为通过理想应力元几何形状的选择和合理掺杂浓度的选取进行新型保偏光纤的设计提供了手段。
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公开(公告)号：CN101054702A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710071726.4
申请日：2007-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 江阴法尔胜佩尔新材料科技有限公司
Abstract: 在血管金属支架上制造微坑的方法，本发明属于一种血管金属支架微坑制备技术。它为了解决原有的在血管金属支架上制造微坑的方法存在微坑开口直径大、井深度深、小井坑大小均匀统一不利于药物药效的逐步释放、小井坑排布只能围绕着支架的外表面，无法位于支架撑柱以及桥筋的侧面和内表面以及原有处理方法成本高的问题。在血管金属支架上制造微坑的方法通过以下步骤实现：(一)支架预处理；(二)电镀；(三)清洗带有金属镀层的支架；(四)除去镀层，处理后的血管金属支架上布满微坑。本发明处理过的血管金属支架上布满微坑，微坑的开口尺寸小并且纵断面为圆形或方形，开口直径为0.1～4μm，深度为0.1～4μm。
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公开(公告)号：CN101054702B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710071726.4
申请日：2007-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 江阴法尔胜佩尔新材料科技有限公司
Abstract: 在血管金属支架上制造微坑的方法，本发明属于一种血管金属支架微坑制备技术。它为了解决原有的在血管金属支架上制造微坑的方法存在微坑开口直径大、井深度深、小井坑大小均匀统一不利于药物药效的逐步释放、小井坑排布只能围绕着支架的外表面，无法位于支架撑柱以及桥筋的侧面和内表面以及原有处理方法成本高的问题。在血管金属支架上制造微坑的方法通过以下步骤实现：(一)支架预处理；(二)电镀；(三)清洗带有金属镀层的支架；(四)除去镀层，处理后的血管金属支架上布满微坑。本发明处理过的血管金属支架上布满微坑，微坑的开口尺寸小并且纵断面为圆形或方形，开口直径为0.1～4μm，深度为0.1～4μm。
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公开(公告)号：CN1311229C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410043789.5
申请日：2004-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚的导电膜，利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描，清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点；把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中，利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。用本发明的保偏光纤的测量方法获得应力区和芯区的实际几何形状和精确掺杂浓度，为通过理想应力元几何形状的选择和合理掺杂浓度的选取进行新型保偏光纤的设计提供了手段。
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