公开(公告)号：CN109585425A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810970565.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许真吟 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及一种半导体结构中单位面积电容增加的MIM双电容器结构。在不使用额外的掩模层的情况下，可以在第一平行板电容器上方形成第二平行板电容器，并且两个电容器共享公共电容器极板。可以并联连接两个平行板电容器以增加每单位面积的电容。本发明的实施例还提供了半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN109427648A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711220067.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  王柏仁 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。

公开(公告)号：CN109427648B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201711220067.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  王柏仁 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。

公开(公告)号：CN109585425B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201810970565.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许真吟 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及一种半导体结构中单位面积电容增加的MIM双电容器结构。在不使用额外的掩模层的情况下，可以在第一平行板电容器上方形成第二平行板电容器，并且两个电容器共享公共电容器极板。可以并联连接两个平行板电容器以增加每单位面积的电容。本发明的实施例还提供了半导体结构及其制造方法。