公开(公告)号：CN109585425A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810970565.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许真吟 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及一种半导体结构中单位面积电容增加的MIM双电容器结构。在不使用额外的掩模层的情况下，可以在第一平行板电容器上方形成第二平行板电容器，并且两个电容器共享公共电容器极板。可以并联连接两个平行板电容器以增加每单位面积的电容。本发明的实施例还提供了半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN109585425B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201810970565.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许真吟 ,  吴春立 ,  高境鸿

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及一种半导体结构中单位面积电容增加的MIM双电容器结构。在不使用额外的掩模层的情况下，可以在第一平行板电容器上方形成第二平行板电容器，并且两个电容器共享公共电容器极板。可以并联连接两个平行板电容器以增加每单位面积的电容。本发明的实施例还提供了半导体结构及其制造方法。