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公开(公告)号：CN114597303A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210184209.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种可抑制咖啡环效应的颜色转换层，包括基板、封装盖板和量子点层；基板的上表面设有若干第一凹槽，量子点层包括一一形成于第一凹槽内的量子点单元；封装盖板键合于基板上，具有与第一凹槽配合的盖板单元，盖板单元分布有若干挥发孔，其中中心区域的挥发孔的分布密度大于边缘区域；基板的底部对应第一凹槽中心区域的热导率大于边缘区域。本发明还公开了其制作方法和应用。通过将设计有挥发通道的封装盖板与基板键合和对基板底部受热面的设计，实现了对溶剂挥发速率调控进而抑制咖啡环的目的，使量子点图案形貌更加规则、良好。
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公开(公告)号：CN119364936A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411481786.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/01 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种LED芯片定位挑选方法，包括：101、使用间距固定的光罩板制作LED半导体晶粒，并对制作获得的LED半导体晶粒进行参数点测获得其点测数据；102、根据点测数据确定各LED半导体晶粒所属的实际BIN段区间；103、记录各LED半导体晶粒的栅格布局情况，获得布局数据；104、分选；分选装置基于布局数据，将属于实际相同BIN段区间的LED半导体晶粒从晶圆的原位置处挑出并移动至相应的蓝膜；其中，分选装置包括多个可单独控制的吸取装置，各吸取装置之间的间隔间距与栅格间距相同，使得分选装置可根据布局数据选择性地吸取相应的LED半导体晶粒能够提高芯片生产中LED半导体晶粒的分选效率，确保了芯片的质量，而且有助于降低生产成本和提高自动化水平。
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公开(公告)号：CN118654859A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410746717.4
申请日：2024-06-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种光致发光检测的micro‑LED检测方法、系统和电子设备，包括：1)对micro‑LED模组进行扫描，获取模组中每个芯片的位置数据；2)将激发光圈的中心定位于所需测量的单个芯片的其中一定位点，获取激发光圈区域内的PL光强数据，根据所需测量的单个芯片面积占激发光圈区域内总面积的比率计算所需测量的芯片的PL光强；3)依次移动激发光圈至所需测量的芯片的其它定位点，并重复步骤2)得到所需测量的芯片的多个PL光强，进行平均得到PL光强平均值；4)调整激发光圈大小，重复步骤2‑3)得到多个PL光强平均值，进行平均得到所需测量的芯片的PL光强数据。本发明有效分离获取单个芯片的精确数据，提高PL检测方法的精度。
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公开(公告)号：CN114967316A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210513754.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
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公开(公告)号：CN114927600A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210574620.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的MicroLED全彩化显示器件结构与制备方法，是将减薄后的MicroLED芯片阵列的衬底作为基板，在衬底上蚀刻出与MicroLED单元一一对应的凹坑，将微流控盖板与衬底相压合直接在衬底上完成了微流控芯片的制备，然后注入量子点溶液在衬底的凹坑中形成色转换层，省去了微流控芯片基板，省去了量子点色转换层与MicroLED芯片阵列进行键合等步骤。本发明简化了制备工艺、节省了原料，同时提高了色转换的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597302A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210169794.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种量子点色转换层的制备方法，通过制作微流控芯片，在微流控芯片的微通道内引入了凹槽和疏水性物质，解决了制备颜色转换层中易出现的量子点层厚度及形状不可控、混色等现象。同时，通过对封装层的设计使颜色转换层激发光的品质得到有效提升，防止光串扰的发生。本发明还公开了通过上述制备方法得到的量子点色转换层及其在MicroLED显示器件中的应用。
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公开(公告)号：CN114967316B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210513754.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
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公开(公告)号：CN114597303B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210184209.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种可抑制咖啡环效应的颜色转换层，包括基板、封装盖板和量子点层；基板的上表面设有若干第一凹槽，量子点层包括一一形成于第一凹槽内的量子点单元；封装盖板键合于基板上，具有与第一凹槽配合的盖板单元，盖板单元分布有若干挥发孔，其中中心区域的挥发孔的分布密度大于边缘区域；基板的底部对应第一凹槽中心区域的热导率大于边缘区域。本发明还公开了其制作方法和应用。通过将设计有挥发通道的封装盖板与基板键合和对基板底部受热面的设计，实现了对溶剂挥发速率调控进而抑制咖啡环的目的，使量子点图案形貌更加规则、良好。
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公开(公告)号：CN114597295B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210184267.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法，是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区，ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内，从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内；然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层。本发明从限制电流流向的角度出发，通过改变电流的流向，使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处，从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。
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公开(公告)号：CN117334794A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311270484.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微通道与电泳沉积制备量子点色转换层的方法，通过在阵列式排布的透明电极外围设置金属环绕电极和连接电极，并沉积绝缘层，对待沉积区域开口，采用微流道技术，与微通道盖板键合后向微通道通路中通入带电量子点溶液，结合电泳沉积技术，使量子点溶液沉积于待沉积区域的透明电极上形成量子点单元。将制备的量子点色转换层与Micro‑LED芯片阵列键合实现全彩化显示。本发明通过金属电极环绕透明电极的设计，并结合了微流道技术和电泳沉积技术，实现具有像素尺寸小、高PPI、高发光均匀性、沉积速度快、原材料利用率高、有利于大面积的量子点色转换层制备，从而推动全彩Micro‑LED的产业化。
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