公开(公告)号：CN116487264A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310405533.7

申请日：2023-04-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  刘广健 ,  肖志林 ,  廖霞霞 ,  张家玮 ,  柯明杰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于二维材料晶体管器件领域，公开了一种ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管及其制备方法。本发明通过直接氧化法，结合电子束刻蚀和真空镀膜技术制得ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。该制备方法操作简单，成本低、耗时短，只通过一次样品转移即制备出了ZrS3/ZrO异质结且可实现大量异质结同时制备；与常规的异质结制备方法不同，本发明首次提出通过热氧化处理沟道材料表层以获得介电层，且无需考虑介电材料与沟道材料的晶格匹配和结合性问题，制得的ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。

公开(公告)号：CN116322292A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310537245.7

申请日：2023-05-14

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周杨波 ,  肖美铃 ,  廖霞霞 ,  肖志林 ,  王勇 ,  付彬芸

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法。阻变存储器自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层材料为h‑BN薄膜；通过机械剥离法制得六方氮化硼薄膜，并通过聚焦离子束局部调控引入缺陷作为阻变介质层，制备基于六方氮化硼的阻变存储器。本发明采用h‑BN作为阻变层介质，成功实现了h‑BN作为阻变层的阻变响应；器件具有SET电压和RESET电压低的特点；采用聚焦离子束对h‑BN表面加工，引入缺陷，实现了聚焦离子束对二维材料的局部加工；并且通过可控引入缺陷，降低了Au/h‑BN/Ag 阻变存储器的SET电压；并具有制备方法操作简单，耗时短的特点。