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公开(公告)号：CN116456728A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310343274.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机聚合物聚[2‑甲氧基‑5‑(3′,7′‑二甲基辛氧基)‑1,4‑亚苯基亚乙烯基](MDMO‑PPV)组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，有机活性层采用溶液旋涂法制备而成，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器件表现出优异的温度稳定性，在无封装的情况下，从低温‑196℃到高温300℃的超宽温度范围下仍保持忆阻性能，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能。
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公开(公告)号：CN114512606B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210038652.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。
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公开(公告)号：CN114512606A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210038652.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。
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公开(公告)号：CN112271256A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010964865.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种空气稳定型忆阻器及其制备方法，忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由氯代酞菁铜组成，有机活性层的厚度为70~85 nm。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，最后在真空蒸镀系统中依次蒸镀有机活性层和顶电极。本发明的忆阻器具有良好的空气稳定性及耐热耐湿性，并且具有可柔性化制作的优点，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能，开拓了可靠的人工突触在空气环境中长期运行的新材料策略。
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公开(公告)号：CN112259684B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112259684A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN112259683A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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公开(公告)号：CN120018679A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510488426.4
申请日：2025-04-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于噻吩有机聚合物的神经形态忆阻器及其制备方法，属于有机二极管忆阻器件制备领域。所述神经形态忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由噻吩有机聚合物聚3‑十二烷基噻吩PQT‑12制备。本发明利用PQT‑12作为关键材料，模拟生物突触的可塑性，实现了高效的信息存储与处理，PQT‑12作为有机活性层，具备优异的电荷保持能力和低功耗特性。本发明制备的忆阻器在开关速度、稳定性和可扩展性方面表现出优异性能，具有广泛的应用前景，尤其在神经形态计算、低功耗存储器件以及人工智能系统等领域。
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公开(公告)号：CN115241376A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210862520.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
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公开(公告)号：CN112259683B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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