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公开(公告)号:CN105548267B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201610025150.7
申请日:2016-01-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。
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公开(公告)号:CN105808961A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610158868.3
申请日:2016-03-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种指导区域熔炼实验的方法,利用塔板理论和物料平衡结合区域熔炼基本原理来进行推导,在推导过程中引进概念和假设来简化过程,进一步构成基于区域熔炼原理的新理论模型。本发明的模型可以计算到五个周期甚至更多周期的浓度分布,对以后的实验有很好的指导作用,通过该模型的计算可以知道纯化多少周期可以达到想要的纯度、纯化产率如何、纯化多少周期能达到实验的极限,大大促进了区域熔炼的工业化进程。最后该模型除了能应用到有机物区域熔炼,通过一些参数的修改还可以应用到无机物甚至金属的区域熔炼实验中。
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公开(公告)号:CN105548267A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201610025150.7
申请日:2016-01-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/02
CPC classification number: G01N27/026
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。
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