公开(公告)号：CN116867289A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310898432.8

申请日：2023-07-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  李思成 ,  沈筠皓 ,  杨永豪 ,  李雯

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/88 ,  H10K10/82 ,  H10K85/10 ,  H10K71/00 ,  H10B41/30

Abstract: 本发明公开了一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自下而上依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明通过真空沉积的方式，在硅片与聚苯乙烯（PS）薄膜中间引入一层3,4,9,10‑苝四甲酸二酐（PTCDA）薄膜。3,4,9,10‑苝四甲酸二酐薄膜具有疏水属性，改善了聚苯乙烯薄膜形貌，提高了离子注入效率，器件的开启电压降低，迁移率、开关比均有提升。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层采用旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点，实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升。且价格低廉节约成本，便于推广及集成商业化应用。

公开(公告)号：CN114512605A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210038559.8

申请日：2022-01-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 ,  曹博文 ,  仪明东 ,  陶奎 ,  吴春辉 ,  杨永豪

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性半导体与聚合物共混膜的叠层异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、p型有机半导体层、n型有机半导体层、共混层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述共混层为聚合物与p型材料并存且相分离的纳米共混薄膜，所述聚合物为聚苯乙烯，所述p型材料为tips‑并五苯。本发明的异质结底层共混膜结构采用溶液旋涂法制备，具有电子和空穴双重俘获能力，具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，并具有良好的维持能力。有利于推进有机场效应晶体管非易失存储器研究进程。