公开(公告)号：CN103258858A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310141602.4

申请日：2013-04-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  夏春萍 ,  肖广然 ,  杨晓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管。该场效应管的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用石墨烯纳米条带材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的异质栅。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应。

公开(公告)号：CN104103692A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410334950.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  高健 ,  张露 ,  岳工舒 ,  张婷 ,  李娜 ,  杨晓

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0669 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略CNTFET的电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的碳纳米场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅，更高的截止频率和更小的延迟时间，即表明采用HALO-Linear掺杂策略的CNTFET具有更好的栅控能力，更好的开关特性，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。