一种微型高抑制射频片上带通滤波器

    公开(公告)号:CN112073019A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010758782.0

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种微型高抑制射频片上带通滤波器,包括谐振单元、输入端口P1和输出端口P2,输入端口P1接受射频信号经过谐振单元后由输出端口P2输出,谐振单元包括第一谐振单元、第二谐振单元、第三谐振单元、第四谐振单元,第一谐振单元一端接地,另一端连接第二谐振单元,第三谐振单元一端连接第二谐振单元,另一端连接第四谐振单元,第四谐振单元一端接地。该带通滤波器带外抑制高,具有良好的选择性,插入损耗少,尺寸微型化,能够满足通信设备的小型化要求。

    一种基于HBT工艺的宽带混沌电路

    公开(公告)号:CN112019196B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202010758781.6

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路,包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块,晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3,第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联,输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极,选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极,第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连,晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定,受寄生参数影响较小,电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号,混沌信号平坦,基频3.79GHz,频谱覆盖3‑12GHz,适用于宽带射频无线通讯;适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。

    一种发夹型带通滤波器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112072238A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010757323.0

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种发夹型带通滤波器,包括依次堆叠的上金属层、介质基板、下金属层,上金属层与下金属层连接并构成谐振腔,上金属层包括依次间隔排列的发夹型半波长谐振器第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器和第五谐振器,第一谐振器、第三谐振器和第五谐振器开口向上设置,第二谐振器和第四谐振器开口向下设置,第一谐振器的输入谐振条上连接有输入微带线,第五谐振器的输出谐振条上连接有输出微带线,输入谐振条和输出谐振条分别沿第一谐振器和第五谐振器闭口方向利用微带线延长1/4波长。该滤波器能够抑制通带外更高频率处的寄生通带、实现宽阻带特性,具有良好的频率选择特性、插入损耗低。

    一种微型化毫米波片上带通滤波器

    公开(公告)号:CN112002970A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010715538.6

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种微型化毫米波片上带通滤波器,包括输入端口、第一复合左右手谐振单元、第二复合左右手谐振单元以及输出端口,输入端口通过第一微带线连接第一复合左右手谐振单元,第一复合左右手谐振单元通过两条并行第二微带线连接第二复合左右手谐振单元,第二复合左右手谐振单元通过第三微带线连接输出端口,毫米波信号由输入端口引入,途径第一复合左右手谐振单元和第二复合左右手谐振单元,最后由输出端口输出。本发明的微型化毫米波片上带通滤波器利用复合左右手谐振单元之间的耦合效应,构建电容电感并联谐振单元,形成传输零点,从而增强带通滤波器的带外抑制度;实现了微型化、低损耗、高抑制的性能指标。

    一种发夹型带通滤波器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112072238B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202010757323.0

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种发夹型带通滤波器,包括依次堆叠的上金属层、介质基板、下金属层,上金属层与下金属层连接并构成谐振腔,上金属层包括依次间隔排列的发夹型半波长谐振器第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器和第五谐振器,第一谐振器、第三谐振器和第五谐振器开口向上设置,第二谐振器和第四谐振器开口向下设置,第一谐振器的输入谐振条上连接有输入微带线,第五谐振器的输出谐振条上连接有输出微带线,输入谐振条和输出谐振条分别沿第一谐振器和第五谐振器闭口方向利用微带线延长1/4波长。该滤波器能够抑制通带外更高频率处的寄生通带、实现宽阻带特性,具有良好的频率选择特性、插入损耗低。

    一种二维光子晶体半加器

    公开(公告)号:CN112114464A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202011022774.6

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体半加法器,它由两个波导分束器,一个连接波导,一个基于二维光子晶体的光学XOR逻辑门和一个光学AND逻辑门组成。设计结构在光程差引起的干涉效应下工作。输入光通过环形耦合器分成两束。光束之一用作XOR门,并产生输出Sum(和)。另一束光用作与门,并产生输出Carry(进位)。本发明提供一种提高器件对比度同时具有较低的响应时间和较小的尺寸的二维光子晶体半加器,该发明可应用于光子集成中的全光全加器、全光处理器、全光数字集成电路。

    一种基于HBT工艺的宽带混沌电路

    公开(公告)号:CN112019196A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010758781.6

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路,包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块,晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3,第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联,输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极,选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极,第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连,晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定,受寄生参数影响较小,电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号,混沌信号平坦,基频3.79GHz,频谱覆盖3-12GHz,适用于宽带射频无线通讯;适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。

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